Список рекомендованої літератури. 1. Дамаск А. , динс ДЖ. Точечные дефекты в металлах

1.Дамаск А., Динс Дж. Точечные дефекты в металлах. Из-во “Мир”,

2. Болтакс Б.Н. Диффузия и точечные дефекты в полупроводниках. Л.: Наука, 1972. 384 с.

3. Вавилов В.С., Кив А.Е., Ниязова О.Р. Механизмы образования и миграции дефектов в полупроводниках. М.: Наука, 1981. 368 с.

4 Клингер М.И., Лущик Ч.Б., Машовец Т.В. и др. // Успехи физ. наук. 1985. Т. 147, № 3. С. 552.

5 Кашкаров П.К., Тимошенко В.Ю. // Поверхность. Физика, химия, механика. 1995. № 6. С. 5–34.

6. Зорин Е. И., Павлов А.В., Тетельбаум Д.И. Ионное легирование полупроводников: Библиотека радиотехнолога. Вып.6.- М.:Энерг., 1975. 128с.

7. Вавилов В. С. Действие излучений на полупроводники. 1988.

8. Литовченко В. Г., Попов В. Г. Физика поверхности и микроэлект-ронника//М. Знание: серия “Физика”. - 1990. - №1. - C.23-28

9. И. Г., Таиров Ю. М. Технология полупроводниковых приборов:

10. У. Риссел Х., Руге. Ионная имплантация.- М.: Наука, 1983. - 234c.

11.Kuzniki Z.T. L-H Interface Improvement for Ultra High Efficiency Si Solar Cells // J.Appl. Phys.- 1993.- 74. - P.2058-2063.

12. Кузницкий З.Т. Улучшение ИК-характеристик монокристаллического кремния при имплантации // Неорганические материалы.- 1997.- 33, №2.- С.142-146.

КРАУДИОН (от англ, crowd — тесниться, толпиться)— одномерное сгущение в расположении атомов или ионов в кристалле, образуемое межузелъпым атомом,, когда в определенном кристаллографич. направлении, напр. [110], на длине в неск. межатомных расстояний располагается 1 лишний собств, атом или ион