Лабораторная №4

Кафедра Микроэлектроники и Биомедицинской Инженерии

Отчет

По дисциплине: Электронные измерения

Лабораторная №4

Тема: Измеритель h-параметров маломощьных транзисторов.

Выполнил: ст.гр.MN-132

Хорозов А. И.

Проверил: старш. преподователь

Метлинский П.Н

Кишинев 2014

Цель работы: Изучение технических характеристик, принципов измерения и устройства измерителя параметров транзисторов и проведение измерений.

Часть I

Ход работы:

1.Подготавливаем измеритель к работе и проведению измерений.

2.Измерение h-параметров в схеме в общим эмиттером:

2.1.Тумблер “p-n-p – n-p-n” устанавливаем в соответствующее типу

подключаемого транзистора положение.

2.2.Устанавливаем величину напряжения на коллекторе U_кэ=5В.

2.3.Подключаем транзистор.

2.4.Ключ “ТОКИ – ОБЩ. БАЗА – ОБЩ. ЭМИТТЕР” устанавливаем в положение “ОБЩ. ЭМИТТЕР”.

2.5.Снимаем зависимости h_11e, h_21e+1, h₁₂, h₂₂ от тока эмиттера в диапазоне от 0.1 до 10 мА(для транзистора 2Т203).

2.6.Устанавливаем транзистор КТ608А вместо испытуемого ранее.

2.7.Устанавливаем величину тока I_э=2мА и снимаем зависимость h_21е+1 от напряжения на коллекторе.

3.Измерение обратных токов:

3.1.Устанавливаем V_кэ=2В.

3.2.Устанавливаем транзистор типа МП10А.

3.3.Устанавливаем при помощи переключателя “R_бэ , kΩ” значение сопротивления цепи база-эмиттер, равное 100 kΩ.

3.4. Ключ “ТОКИ – ОБЩ. БАЗА – ОБЩ. ЭМИТТЕР” устанавливаем в положение “ТОКИ”.

3.5.Отсчитываем значения токов по стрелочному прибору.

3.6.Устанавливая напряжение U_кэ, равное 2, 3, 5, 7, 10В, снимаем зависимость токов от напряжения на коллекторе.

Таблицы и вычисления:

2Т203 p-n-p

I_КБ=1мкА;U_КЭ=5В

Iэ, мА	0,1	0,2	0,3	0,4	0,5	0,6	0,7	0,8	0,9		1,5		2,5
h11e, 103	>10		5,8	4,6	3,9	3,4	3,1	2,8	2,6	2,4	1,9	1,6	1,4	1,3	1,2	1,1	1,05	1,0	0,95	0,95	0,95
h21e+1, 10-2	0,48	0,505	0,51	0,51	0,51	0,50	0,49	0,48	0,48	0,47	0,75	0,42	0,40	0,38	0,35	0,34	0,31	0,29	0,28	0,265	0,26
h12 , 10-3	0,2	0,21	0,21	0,21	0,2	0,2	0,2	0,2	0,2	0,2	0,2	0,21	0,22	0,23	0,24	0,26	0,28	0,3	0,31	0,33	0,38
h22e , 10-4	0,08	0,09	0,11	0,12	0,13	0,14	0,16	0,17	0,18	0,20	0,25	0,30	0,35	0,41	0,52	0,63	0,73	0,84	0,94	1,2	1,3

2T603Б (кремн) n-p-n
I_E=2мА; U_{КБпред.}=30В

Uкэ, В
h21e+1, 10-2	0,138	0,14	0,14	0,14	0,141	0,141	0,141	0,141	0,141	0,142	0,142	0,142	0,143	0,143	0,143	0,143	0,143	0,144	0,144	0,144

МП9-11 n-p-n
R_БЭ=100кОм;U_КЕ=2В

Uкэ, В
Iкэ0,мА*102	4,4	4,55	4,65	4,8	4,95
Iкб0,мА		5,05	5,05	5,15	5,20
Iэб0,мА		5,05	5,10	5,15	5,20

Вывод: В ходе данной лабораторной работы с помощью измерителя h-параметров маломощных транзисторов Л2-22/1 мы исследовали следующие 3 транзистора: 2Т203(p-n-p); 2T603Б(n-p-n); МП9-11 (n-p-n). Прежде чем выполнять измерения, прибор был отколиброван. Все транзисторы являются исправными и их параметры соответствую нормам.

h₁₁ - входное сопротивление;

h₂₂ - выходная проводимость;
h₁₂ - коэффициент обратной связи;

h₂₁ - коэффициент передачи тока.
Дифференциальные параметры биполярных транзисторов зависят от режимов их работы. Для схемы с общим эмиттером наибольшее влияние испытывает коэффициент усиления эмиттерного тока h_21э в зависимости от тока эмиттера.

Параметры транзистора зависят от выбора (Uк,Iк) и без указания режима измерений не имеют определенности. Низкочастотные h-параметры можно определить с помощью статических характеристик методом снятия их на постоянном токе. Тогда роль переменных токов и напряжений будут играть малые приращения постоянных токов и напряжений

Эти выражения справедливы для схемы с ОЭ.