Обратное подключение электронно-дырочного перехода

Пусть источник внешнего напряжения подключен положительным полюсом к полупроводнику n - типа, а минусом к p –области, так как это показано на рис. 2.3.

Внутренне и внешнее электрическое поле в переходе направлены согласованно, поэтому общий потенциальный барьер возрастает. Под действием электрического поля внешнего источника дырки р -области притягиваются к отрицательному потенциалу внешнего источника. Аналогично свободные электроны n -области смещаются к положительному потенциалу внешнего источника напряжения.

Таким образом, основные носители зарядов отодвигаются внешним полем от границы, разделяющей р и n области, увеличивая ширину p-n перехода. Ток через p-n переход обусловлен движением неосновных носителей, которые, попав в поле электронно-дырочного перехода, будут им захватываться и переноситься через p-n переход. Процесс переноса неосновных носителей заряда через p-n переход, ускоряющим электрическим полем, созданным обратным напряжением называется экстракцией носителей заряда.