Розрахунок вхідних кіл

 

Провести розрахунок вхідного кола приймача з ємнісним зв’язком з антеною.

Вихідні дані діапазон частот

мін - f_{макс =} 88 - 108 МГц

 

Ємність контура

С_к=35÷335 пФ

Еквівалентна добротність контура_Emax =14_Emin =3,4

Середнє значення ємності антени

Са=220пФ

Вхідний опір транзистора є const._ВХ=const

Коефіцієнт включення транзистора=0.2

Величина додаткової ємності 12пФ

С_дод=12Пф

Необхідно визначити?

Величину ємності зв’язку С_зв, індуктивність котушки контуру L і ємність варикапа VD1

. Задаємо величину ємності зв’язку

С_зв=10Пф

. Визначаємо ємність яку вносить антена

С'_а=  = =18пФ

 

. Визначаємо ємність яку вносить антена з урахуванням впливу антени для піддіапозону.

 

С'_{ЕMAX =} C_EMAX +Ca = 335+10 = 345 пФ

 

розраховуємо середню частоту під діапазону

 

 = 98 МГц

С_{Есер =} C_EMAX× ² = 412 × ( ² =273 (Пф)

 

. Визначаємо конструктивне і еквівалентне затухання контуру на верхній частоті під діапазону

 

δ_к =

δ_ϝмакс = =

 

. Еквівалентне затухання контуру на середній частоті піддіапазону.

 

δ_епс = δ_а+(δ_макс - δ) ×  ×  = 0.01 +(0.07 - 0.01) × ×1= 0.063

 

. Еквівалентна добротність контура на середній частоті піддіапазону.

_сер= = =15.87

 

7. Коефіцієнт передачі контура в трьох точках піддіапазону.

 

К_{ВХ макс}= м_2× Qe_{max × =} 0.2 × 14 × = 1.24

 

Розрахунок ПВЧ

 

Напругу джерела живлення зазвичай задано, тому транзистор підсилювача підбираємо під його напругу.

При підборі транзистора враховують також Iкб, статичний коефіцієнт передачі струму, R_К визначають за формулою:

к = 0,4 Eк / Сск

 

Сск - струм спокою колектора. Зазвичай знаходиться в межах 0,5 - 2,0 mA, для розрахунків приймаємо Сск = 1 mA.

Опір R е визначають з наступного співвідношення Rе = (0,1… 0,3) EК / Сск

Тепер вибираємо R2 і R1. Зазвичай опір R1 в кілька разів більше R2. R2 вибирається в 2-5 разів більше Rе.

= 2,4 · [(ЄК - Сск · Rе) / Сск]

К - V (вольт)

Сск - mA (міліампер)е - кОм (кілоомах)

Ємність конденсатора в ланцюзі емітера вибирають з умови усунення зворотного зв'язку по змінному струму.

 

С3 = 5000IЕп / FН

FН - нижча частота підсилюється сигналу в герцах

Ссе - струм спокою емітера в mA.

У підсилювачах НЧ частота виражається в Гц, при цьому С3 виражається в мікрофарадах mF В підсилювачі ВЧ відповідно в мГц і pF (пікофарад).

Тоді, коли є негативна дія зворотнього зв'язку по змінному струму, резистор Rе не шунтують конденсатором.

При відсутності конденсатора С3 коефіцієнт посилення підсилювача по напрузі Ku визначається відношенням опорів R_К і Rе навіть при найбільших значеннях β

Конденсатори С1 і С2 називають розділовими. Вони дозволяють відокремити підсилювальний каскад по постійному струму від джерела вхідного сигналу і навантаження. Ємності вибирають із співвідношення: С1000 / FН · Rвх, де Rвх - вхідний опір наступного підсилювального каскаду або навантаження (кОм). Якщо FН в герцах, то С в мікрофарадах. Якщо FН в мГц, то С в pF.

При середньому значенні Rвх 1кОм в підсилювачі низької частоти (НЧ) (FН = 100Гц) ємність С ≥ 1000 / 100×1 = 10 мкФ.

В підсилювачі високої частоти (FН = 0,15 мГц) ємність С ≥ 1000 / 0,15 · 1 = 6600 pF.