Метровые, сантиметровые, микрометровые, нанаметровые

пикометровые.

Блок схема процесса радиосвязи

Конденсаторы.

      Condenser – в переводе - н а к о п и т е л ь  - назначение накапливать 

электрические заряды - (Q).

  В обозначениях на конденсаторах указание типа, величины ёмкости, рабочее напряжение,  температурный коэффициент ёмкости, дата изготовления.  Обозначение номинальных емкостей  состоит из 3 или 4 знаков, 2 или 3 цифры   и букву латинский алфавит.

 

Пикофарады: единицы - 4.7пф (pF), десятки - 47пф (pF), сотни – 470 (пФ). 

                       тысячи -4700 (пФ, pF).

Пикофарада * 1000 = нанафарада 

Нанафарады: единицы - 4.7нф (4n7), десятки - 47 нФ (47 nF, 47,0 nF, n47),

                     сотни - 470нФ (m 47К), тысячи – 4700,0 (4700 nF, F4700,0).

Нанафарада * 1000 = микрофарада 

Микрофарады: единицы - 4.7мкф (mF), десятки - 47мкф (mF),

Сотни - 470мкф (470mF, F470), Тысячи - 4700,0 (4700mF, F4700,0).

Микрофарада * 1000000 = фарада 

  Фарада Ф - (4,7F, 4F7). Самое большое значение емкости фарады.

    последовательное соединение                                               параллельное соединение

Полупроводники.

Полупроводники материалы, занимающие промежуточное положение между проводниками и диэлектриками. Для полупроводников характерна зависимость от температуры. Электрического поля, освещённости, сжатия и т. д. В отличии от проводников они имеют электронно-дырочную проводимость. В электронике применяются германий, кремний, арсенид галлия. Селен. Свойства полупроводника можно изменить, внеся в него ничтожное количество примеси. В зависимости от содержания примеси проводимость полупроводника возрастает в десятки и сотни тысяч раз.

               Диоды и параметры.  

I пр.мах. – прямой максимальный ток – Ампер

Uобр.мах - обратное напряжение максимальное - Вольт

F гц. - рабочая частота - Герц

Р вт. – электрическая мощность - Ватт

 

 

              Стабилитроны и параметры

    

 

                         

                                  

                                                     

Транзисторы.

   В основу принципа действия транзистора положен эффект влияния базы на прохождение

 носителей тока - I  из области эммитера в область коллектора через область базы. При подключении  

 источника питания переход база - эммитер смещается в прямом направлении. В транзисторе базовая  

 область имеет малую толщину, носителям тока, попадая в неё, оказываются под действием  

 относительно высокого напряжения - U коллектора. Благодаря этому они разгоняются, запасая  

 энергию, что позволяет им преодолеть сопротивление смещенного обратного коллекторного перехода.  

Основная часть носителей из эммитера, пройдя через базу, переходит в коллектор и обеспечивает

коллекторный ток. Если увеличить напряжение на переходе база – эммитер, то он откроется больше,

увеличится число носителей поступающих из эмиттера в коллектор и базы. Напряжение на базе

гораздо меньше напряжения на коллекторе, а произведение I* U есть мощность – Р- электрического

тока, отсюда вывод, что малая входная модность управляет большой выходной. Отношение величины

выходной мощности к входной есть малая управляет большой и её параметр представляет

коэффициент усиления - h21. В зависимости от включения (ОЭ) усиление по мощности, (ОБ) по

напряжению, (ОК) току. У транзистора входное и выходное сопротивление зависит от включения

транзистора, где (ОЭ)- малое входное и большое выходное, (ОБ) - малое входное и большое

выходное, (ОК)- большое входное и малое выходное сопротивление.

                           

Схема включения транзистора типа P-N-P  Схема включения транзистора типа N-P-N

 

                                       Транзисторы и их параметры