Використовуючи навантажувальну характеристику вихідного каскаду і статичні вхідні характеристики транзистора, будуємо на них емітерну динамічну вхідну характеристику.
Вхідні динамічні характеристики при малих опорах навантаження практично зливаються зі статичними. Тому для технічних розрахунків можна користуватися не динамічними, а статичними вхідними характеристиками.
За вхідною динамічною характеристикою (рисунок 2) визначаємо значення вхідного сигналу:
- напругу на базі в робочій точці спокою - UБе п = 0,65 В;
- струм бази в робочій точці спокою – ІБ п = 0,15 мА;
- амплітудне значення змінної складової бази - ІБm = 60 мА;
- амплітудне значення змінної напруги на базі - UБЕm = 4,6 В.
Рисунок 3.2 Вхідні динамічні характеристики транзисторів VT7 i VT5.
Визначаємо амплітудне значення вхідної напруги кінцевих транзисторів за формулою:
Визначаємо вхідний опір транзистора без урахування негативного зворотного зв'язку:
Визначаємо усереднену крутизну характеристики транзистора в кінцевому каскаді:
Визначаємо коефіцієнт підсилення за напругою:
Визначаємо вхідну потужність транзистора:
Визначаємо коефіцієнт підсилення за потужністю: