При прямом включении n - слой соединяют с отрицательным полюсом источника напряжения, а p - слой - с положительным полюсом (рис.7). В p - n - переходе создаются условия для прохождения тока, отличающиеся от условий при термодинамическом равновесии. Пространственный заряд на p - n - переходе уменьшится, а потенциальный барьер снизится на величину Э.Д.С. источника.
Рисунок 7 – Прямое включение электронно-дырочного перехода
При прямом включении сопротивление и ширина p - n – перехода уменьшаются, p - n – переход открывается и через него протекает прямой ток. Прямой ток является током основных носителей (диффузионным током).
При обратном включении n - слой соединяют с положительным полюсом источника напряжения, а p - слой - с отрицательным полюсом (рис.8). При этом потенциальный барьер p-n-перехода увеличивается. Сопротивление и ширина p - n – перехода также увеличиваются, p - n – переход закрывается. Это приводит к уменьшению диффузионного тока (тока основных носителей) и увеличению дрейфового (тока неосновных носителей). Результирующий ток совпадает с дрейфовым током. При обратном включении через p - n – переход протекает очень маленький, близкий к нулю обратный ток.
|
|
Рисунок 8 – Обратное включение электронно-дырочного перехода
Таким образом можно сделать вывод, что величина тока зависит от способа включения p - n – перехода и величины напряжения. Зависимость тока, от величины напряжения называется вольтамперной характеристикой (ВАХ). На рис.9 представлена ВАХ электронно-дырочного перехода.
Рисунок 9 – Вольтамперная характеристика электронно-дырочного перехода
Основное свойство электронно-дырочного перехода: p-n-переход обладает односторонней проводимостью (вентильным свойством)
Электрический пробой
При достижении обратным напряжением некоторого критического значения происходит пробой p - n – перехода.
Пробой сопровождается лавинообразным нарастанием тока неосновных носителей. Различают электрический пробой и тепловой.
Электрический пробой не опасен для p-n-перехода: при отключении источника обратного напряжения вентильные свойства электронно-дырочного перехода полностью восстанавливаются.
Тепловой пробой приводит к разрушению кристалла и является аварийным режимом.
Вопросы:
1) Какие материалы относятся к полупроводникам и как меняется их проводимость при увеличении температуры?
2) Примесь каких химических элементов называется донорской?
3) Примесь каких химических элементов называется акцепторной?
4) Что произойдет при соединении двух полупроводников с разной проводимостью?
5) Каким свойством обладает p-n-переход?
|
|
6) В каком состоянии находится p-n-переход при прямом и обратном включении?
7) Чем различаются электрический и тепловой пробои?
Тема2 Полупроводниковые диоды
План
1. Устройство и классификация диодов
2. Принцип действия и вольтамперная характеристика диода
3. Условные обозначения и маркировка диодов.