В соответствии с учебным планом РГАЗУ по дисциплине «Электронные устройства и микропроцессорная техника» студенты направления подготовки бакалавров 35.03.06 Агроинженерия (профиль Электрооборудование и электротехнологии) выполняют контрольную работу.
Перед выполнением контрольной работы студенту необходимо изучить учебники и дополнительную литературу по программе дисциплины, решить задачи и ответить на контрольные вопросы, содержащиеся в рекомендованной литературе, приведенной выше.
При решении задач, поставленных в контрольнойработе, необходимо давать краткие пояснения по ходу решения. Вначале дается решение в общем виде, а затем приводятся расчеты с подстановкой числовых значений величин в расчетные формулы. Все расчеты ведутся в международной системе единиц СИ. Вычисления следует производить с помощью ПЭВМ. При этом можно использовать специальные программные средства для проведения инженерных расчетов на ПЭВМ, например математический пакет MATHCAD. Электрические принципиальные схемы и графики выполняются на отдельных листах миллиметровой бумаги. Элементы схем изображают в виде условных графических обозначений, установленных ГОСТ и ЕСКД.
Контрольная работа выполняется на листах бумаги формата А4, размером 297x210 мм. Первым листом контрольной работы является титульныйлист, содержащий: название университета; название факультета и кафедры, на которой выполнялась контрольная работа; название дисциплины; фамилию и шифр студента; фамилию преподавателя - рецензента по контрольной, работе, текущийгод. На листах, за исключением титульного листа, в правом верхнем углу должны быть указаны номера и оставлены поля: левое - 25 мм, правое - 15 мм, верхнее и нижнее 25 мм.
В конце контрольной работы приводится список использованной литературы и примерное время, затраченное на выполнение работы. Работа подписывается студентом с указанием даты ее сдачи на рецензию.
Задание для выполнения контрольной работы
1. Для усилительного транзисторного каскада, электрическая принципиальная схема которого показана на рис.1, необходимо:
1.1. Выбрать транзистор, определить напряжение источника питания UП, рассчитать сопротивления резисторов RК, RБ1, RБ2 выбрать их номиналы.
1.2. Определить h - параметры h11Э, h12Э, h21Э, h22Э в рабочей точке транзисторного каскада, его входное и выходное сопротивления RВХи RВЫХ.
1.3. Найти амплитуды напряжения и тока базы UБM, IБМ коэффициенты усиления каскада по току, напряжению и мощности KI, KU, KP и амплитуду напряжения источника сигнала UGM.
1.4. Рассчитать емкости конденсаторов СР1, СР2, СЭ и выбрать их номиналы.
2. Для заданной схемы на операционном усилителе, необходимо:
2.1. Рассчитать сопротивления резисторов и емкости конденсаторов и выбрать их номиналы.
2.2. Выбрать тип операционного усилителя (ОУ).
2.3. Определить максимальные амплитуды источников сигнала.
Исходные данные для всех пунктов задания выбираются по трем последним цифрам шифра студента потабл. 1-4.
По последней цифре:
Таблица 1
Последняя цифра шифра | 0 | 1 | 2 | 3 | 4 | 5 | 6 | 7 | 8 | 9 | |
К пункту 1
| Сопротивление нагрузки RН, Ом | 100 | 150 | 180 | 300 | 400 | 500 | 400 | 350 | 370 | 300 |
Амплитуда напряжения в нагрузке UНМ, В | 0,5 | 1 | 1,5 | 2 | 2,5 | 2,25 | 1,75 | 1,25 | 0,75 | 1,0 | |
К пункту 2 | Схема на ОУ,рисунок | 4а | 4б | 4в | 4г | 4д | 4а | 4б | 4в | 4г | 4д |
Коэф. усиления по напряжен. для источника сигналаКU2 | - | - | 20 | - | - | - | - | 40 | - | - | |
Нижняя граничнаячастота FН, Гц | - | - | - | 50 | 20 | - | - | - | 100 | 75 | |
Внутр. сопротивл. источника сигнала RG2, кОм | - | - | 40 | - | - | - | - | 70 | - | - |
По предпоследней цифре: Таблица 2
Предпоследняя цифра | 0 | 1 | 2 | 3 | 4 | 5 | 6 | 7 | 8 | 9 | |
К пункту 1 | Внутреннее сопротивление источника сигнала RG, Ом | 100 | 150 | 200 | 300 | 350 | 400 | 450 | 500 | 600 | 700 |
К пункту 2 | Внутреннее сопротивление источника сигнала RG1, кОм | 1 | 10 | 20 | 30 | 75 | 40 | 25 | 15 | 5 | 3 |
По оставшейся цифре:
Таблица 3
Оставшаяся цифра | 0 | 1 | 2 | 3 | 4 | 5 | 6 | 7 | 8 | 9 | |
К пункту 1 | Нижняя граничная частота FН, Гц | 25 | 50 | 75 | 100 | 125 | 150 | 175 | 200 | 225 | 250 |
К пункту 2 | Коэф. усиления по напряжению для источн. сигн. КU1 | 10 | 20 | 30 | 40 | 50 | 55 | 45 | 35 | 25 | 15 |
Прочие данные:
Таблица 4
Допустимые частотные искажения на граничной частоте МН | 1,41 | |
К пункту 2 задания | Динамический диапазон выходного напряжения D, Дб | 26 |
Максимальная температура окружающей среды Тm, оС | 40 | |
Методические указания по выполнению заданий
К пункту 1.1
Вычертить принципиальную электрическую схему транзисторного усилительного каскада (рис.1).
+
RБ1 Rк UГ
СР2
-
СР1 VT1
RG
RБ2 СЭ1 RЭ RН
UG
Рис. 1. Схема электрическая принципиальная усилительного каскада с общим эмиттером
Рассчитать сопротивление резистора коллекторной цепи транзистора:
RK = (1 + KR) × RH,
где KR - коэффициент соотношения сопротивлений RK и RH,
KR = 1,2 ¸ 1,5 при RH £ 1 кОм;
KR = 1,5 ¸ 5 при RH > 1 кОм.
Номинал резистора RK выбирается по Приложению 2.
Определить эквивалентное сопротивление нагрузки каскада:
.
Найти амплитуду коллекторного тока транзистора:
.
Определить ток покоя (ток в рабочей точке) транзистора:
где k3 – коэффициент запаса. K3 = 0,7 ¸ 0,95, k3 = 0,7- максимальные нелинейные искажения, k3 = 0,95 – максимальный КПД.
Рассчитать минимальное напряжение коллектор-эмиттер в рабочей точке транзистора: UКЭП_MIN = UНМ + U0,
где U0 - напряжение коллектор-эмиттер, соответствующее началупрямолинейного участка выходных характеристик транзистора, В; U0 = 1В - для транзисторов малой мощности (РК £150 мВт); U0 = 2 В - для транзисторов большой и средней мощности (РК > 150 мВт).
Если UКЭП_MIN меньше типового значения UКЭП = 5 В, то следует выбрать UКЭП = 5 В, в противном случае UКЭП = UКЭ_MIN.
Рассчитать напряжение источника питания:
значение расчетного напряжения UП округлить до ближайшего целого числа.
Определить и выбрать номинал сопротивления резистора эмиттерной цепи транзистора:
.
Выбрать транзистор из приложения 1 по параметрам:
а) максимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер
UКЭ_ДОП ³ UП;
б) максимальный допустимый средний ток коллектора
IК_ДОП > IКП;
в) максимальная мощность рассеивания на коллекторе РК_МАХ при наибольшей температуре окружающей среды ТМ РК_МАХ > IКП UКП,
РК_МАХ находится по формуле:
,
где РК_ДОП - максимально допустимая мощность рассеивания на коллекторе при температуре окружающей среды Т0, Вт; ТП_МАХ - максимальная температура перехода, оС; Т0 – температура окружающей среды, при которой нормируется РК_ДОП, 25 оС; РК_ДОП, ТП_МАХ - справочные величины.
Вычертить входные и выходные характеристики выбранного транзистора. На выходных характеристиках транзистора построить нагрузочную прямую постоянного тока по точками А, В с координатами (рис. 3);
точка А UKЭ = 0, ,
точка В UKЭ = UП, IК = 0.
На пересечении нагрузочной прямой и прямой IК = IКП нанести рабочую точку С. Уточнить напряжение UKЭв рабочей точке (UKЭП = UKЭ в точке С).
Определить ток базы IБП транзистора в точке С(рабочей точке).
На входную характеристику (рис. 2) нанести рабочую точку Сна пересечении входной характеристики (при UKЭП)и прямой IБ = IБП. ОпределитьUБЭП.
IБ, мА
UКЭ = 5В
IБm
Uбэп UБЭ, В
UБm