Структуры и технология интегральных микросхем

Чувство ритма.

Задание № 1: Прохлопать простейший ритмический рисунок, мелодии из 5-7 звуков. Р.н.попевка «Гори, гори ясно»

«3» - точное выполнение ритмического рисунка.

«2» - не совсем точное.

«1» - не выполнение задания, нет заинтересованности.

Задание № 2: Ребенку предлагается задание – двигаться в соответствии с трехчастной формой музыкального произведения. Оценивается способность ребенка вовремя отреагировать на смену музыкальной фразы, двигать правильно выполняя движение, эмоционально, четко.

«3» - смена движений под музыку, движения выполняются правильно, есть чувство пульса.

«2» - есть желание двигаться под музыку, нет эмоциональных движений, нет смены движений под музыку.

«1» - мала двигательная реакция на музыку.

Задание № 3: Самостоятельно инсценироватьпесню «Про меня и муравья» Оценивается разнообразие выбранных движений, не подражание друг другу, смена движений в соответствии с текстом песни.

«3» - выразительно исполняет движения, чувствует смену движений под музыку, выполняет разнообразные элементы.

«2» - есть желание двигаться под музыку, нет разнообразия выполненных элементов, нет смены движений в соответствии с текстом песни.

«1» - мала двигательная реакция на музыку, нет желания выполнять задание.

Задание № 4: Предложить ребенку потанцевать под русскую плясовую, выполняя знакомые танцевальные движения (поочередное выбрасывание ног вперед в прыжке, полуприседания с выставлением ноги на пятку, шаг на месте, с продвижением вперед и в кружении). Оценивается правильное выполнение всех элементов, разнообразие выбранных движений, импровизация по музыку.

«3» - выразительно исполняет движения, правильно выполняет все элементы, может придумывать свои.

«2» - есть желание двигаться под музыку, не все движения выполняется правильно, не может придумать свои.

«1» - мала двигательная реакция на музыку, нет желания выполнять задание.

Неуклонное развитие электроники привело к возникновению микроэлектроники. Так принято называть область науки и техники, занимающуюся физическими и техническим проблемами создания высоконадежных и экономичных микроэлектронных схем и устройств, называемых интегральными микросхемами (ИМС). Интегральными они названы потому, что в них все элементы нераздельно связаны между собой и схема рассматривается как единое целое.

Элементом называют часть ИМС, в которой реализуется функция какого-либо радиоэлемента (транзистора, диода, резистора и т. д.) и которую нельзя отделить от схемы и рассматривать как самостоятельное изделие. Элементы формируются на полупроводниковой пластине в едином технологическом процессе. В некоторых случаях в состав ИМС входят компоненты (бескорпусные транзисторы, навесные конденсаторы, резисторы и т. д.), которые устанавливают при выполнении сборочно-монтажных операций. Компоненты являются самостоятельными изделиями, они могут быть отделены от изготовленной ИМС и заменены другими.

Сложность ИМС оценивают степенью интеграции, определяемой коэффициентом К= lgiV, значение которого округляется до ближайшего большего целого числа, где JV— число элементов и компонентов, входящих в ИМС. Микросхемы первой степени интеграции = 1) содержат до 10 элементов и компонентов, второй степени интеграции - 2) — от 11 до 100 и т. д. Микросхемы третьей и четвертой степеней интеграции называют большими интегральными схемами (БИС), а ИМС, содержащие более 104 элементов, называют сверхбольшими ИМС (СБИС).

По способу изготовления и получаемой при этом структуре различают две разновидности ИМС: полупроводниковые и гибридные. В полупроводниковых ИМС (ПП ИМС) все элементы и межэлементные соединения выполняются в объеме и на поверхности полупроводниковой пластины. В гибридных ИМС (ГИМС) пассивные элементы (резисторы, конденсаторы и др.) выполняются в виде пленок на поверхности диэлектрической подложки, а активные элементы реализуются в виде навесных компонентов. В зависимости от способа нанесения пленок на поверхность диэлектрической подложки и их толщины различают тонкопленочные ГИМС (толщина пленок менее 1 мкм) и толстопленочные ГИМС (толщина пленок порядка 20-40 мкм).

По функциональному назначению ИМС подразделяют на аналоговые и цифровые. Аналоговые ИМС предназначены для обработки сигналов, изменяющихся по закону непрерывной функции, цифровые — для обработки сигналов, изменяющихся по закону дискретной функции.


Понравилась статья? Добавь ее в закладку (CTRL+D) и не забудь поделиться с друзьями:  



double arrow
Сейчас читают про: