Фотодиоды. Конструкция фотодиода сходна с конструкцией плоскостного германиевого диода, Это пластинка полупроводника с областями р- и n- проводимости

Конструкция фотодиода сходна с конструкцией плоскостного германиевого диода, Это пластинка полупроводника с областями р- и n- проводимости, которые разделены р-n- переходом. Пластинка заключена в корпус из прозрачной пластмассы или в металлический корпус с окном, пропускающим световой поток. Конструкция ФД-1 показана на рисунке 1.32.

Рисунок 1.32 – Конструкция ФД-1:

1 – кристалл германия с p-n переходом;

2 – кристалодержатель;

3 – корпус; 4 – вывод; 5 – металлическая трубка; 6 – вольфрам; 7 – ножка; 8 – оловянное кольцо; 9 – стеклянное окно.

Фотодиоды могут работать в режиме фотогенератора (без внешнего источника питания) и в режиме фотопреобразователя (с внешним источником питания, включенным в обратном направлении).

В режиме фотогенератора (рисунок 1.33) при освещении n- области в ней образуется пары-электрон и дырка. Образовавшиеся заряды диффундируют к переходу, полем которого дырки втягиваются в р- область (I _ф). При разомкнутом ключе в р- области накапливается избыточный «+» заряд, а в п- области «−» заряд. На электродах фотодиода возникает разность потенциалов (э.д.с. фотогенератора), понижающая потенциальный барьер. Это приводит к возникновению прямого тока (I _пр.) через р-п- переход, при этом на электродах фотоэлемента устанавливается э. д. с., величина которой меньше высоты потенциального барьера до освещения.

Рисунок 1.33 – Включение фотодиода в режиме фотогенератора и в режиме фотопреобразователя

Если электроды замкнуты накоротко, то разность потенциалов на них не возникает и высота потенциального барьера при освещении не изменится. При включении R _н протекающий через него ток нагрузки I _н = I _ф – I _пр.. При уменьшений R _н возрастает I _н и на такую же величину уменьшается I _пр..

В режиме фотопреобразователя при приложении обратного напряжения его потенциальный барьер увеличивается. Так как приложенное напряжение значительно больше фото э.д.с., то при освещении р-п- перехода высота потенциального барьера практически не изменяется и все освобожденные светом и разделенные полем р-п- перехода заряды уходят во внешнюю цепь. Прямой ток через р-п- переход, который возникает при работе в режиме фотогенератора и уменьшает ток в нагрузочном сопротивлении, в данном случае равен нулю.

При отсутствии света через р-п- переход и R _н протекает обратный ток р-п- перехода I _окр = I _т (где I _т темновой ток), при освещении фотодиода через R _н протекает ток I _общ = I _ф – I _т. Так как внутреннее сопротивление фотодиода в этом режиме велико, ток не зависит от величины R _н в широком диапазоне. Вторым преимуществом работы фотодиода в режиме фотопреобразователя является линейность энергетической характеристики фототока. В режиме фотогенератора энергетическая характеристика фототока линейна лишь при очень малых потоках излучения, падающих на фотодиод или малых R _н.