3.1 Материал полупроводника – германий (Ge) или кремний (Si).
3.2 Результаты, полученные при выполнении предыдущей практической работы.
3.2 Рабочая температура t – в 0С.
3.4 Приложенное к электронно-дырочному переходу напряжение – U, В.
3.1 Материал полупроводника – германий (Ge) или кремний (Si).
3.2 Результаты, полученные при выполнении предыдущей практической работы.
3.2 Рабочая температура t – в 0С.
3.4 Приложенное к электронно-дырочному переходу напряжение – U, В.
Понравилась статья? Добавь ее в закладку (CTRL+D) и не забудь поделиться с друзьями:
|