Рис. 7.14 УГО
Фотодиод представляет собой полупроводниковый прибор, обратный ток которого зависит от освещенности р-n перехода.
Устройство фотодиода: p-n переход одной стороной обращен к стеклянному окну, через к
Материалами, из которых выполняют фотодиоды - Ge, Si, GaAs, PbS, PbSe, PbTe, InSb, InAs, Тl2S, Ag2S,твердый раствор HgCdTe (mercury cadmium telluride) и др.
Подвижность электронов из HgCdTe с большим содержанием ртути очень высока. Среди распространенных полупроводников, используемых для инфракрасного обнаружения, только InSb и InAs превосходить подвижность электронов из HgCdTe при комнатной температуре.
Рис. 7.15 Устройство фотодиода
Рис. 7.16 Схема включения фотодиода - фотодиодный режим
!! Eвнеш совпадает по направлению с Eдифф
Напряжение источника питания приложено к фотодиоду в обратном направлении.
Когда фотодиод не освещен, в цепи проходит обратный (темновой) ток небольшой величины (10-20 мкА для Ge и l-2 мкА для Si) неосновных носителей.
При освещении фотодиода появляется дополнительное число электронов и дырок, вследствие чего увеличивается переход неосновных носителей заряда: электронов из р-области и дырок из n-области. Это приводит к увеличению обратного тока и падению напряжения нарезисторе RH.
Т.о. происходит преобразование электромагнитного излучения в электрический сигнал.
Режим, при котором фотодиод включается в схему с внешним источником питания, называют фотодиодными режимом, т.е. при таком режиме фотодиод - управляемое светом сопротивление.
Фотодиод может включаться без внешнего источнщса питания (рис. 7.17) = это т.н. пре образовательный (фотогенераторный) режим.
Под действием света в р-n переходе происходит генерация пар носителей заряда (электронов и дырок).
Накопление основных носителей в областях р и n приводит к возникновению фото-ЭДС ( фд).
При увеличении облучения генерация пар носителей растет и увеличивается величина фото - ЭДС, до тех пор, пока она не уравновесит внутреннее диффузионное поле р-n перехода.
Чем больше ширина запрещенной зоны и чем больше концентрация примесей в областях, тем больше фото -ЭДС.
Рис. 7.17 Фотогенераторный режим
!! Eфд противоположно по направлению с Eдифф