Гибридные интегральные схемы

Порядок выполнения:

1. Любыми предыдущими методами изготавливается плёночная часть микросхемы.

2. Контроль пленочной части микросхемы

3. Разделение подложки на отдельные микросхемы лазерным лучом или алмазным диском нарезают.

4. Монтаж дискретных элементов (бескорпусных) - эти микроэлементы крепят к подложке пайкой. Либо сваркой, либо лазерным лучом, либо склеиваются (клей - контактол, клей с серебрянным порошком).

5. Подложку с элементами помещают в корпус и снова закрепляют.

6. Выводы корпуса соединяют с контактными площадками с помощью микропроводников.

7. Помещают верхнюю часть корпуса маркировкой и герметизируется заливкой, или комбинированным методом.

8. Контроль параметров элемента.

Полупроводниковые микросхемы.

Представляют собой кристалл п/п вещества, в который путем введения примесей получают области соответствующие дискретным примесям. Микросхемы эти имеют б`ольшую плотность упаковки элементов на кристалле, более высокую надежность.

Недостатки: является сложность технологического процесса, и оборудование контроля.

П\п материал - кремний, германий, орсенид галия.

Эти материалы должны удовлетворять следующим требованиям: Иметь структурное геометрическое совершенство, высокую частоту, отсутствие примесей и частоту поверхности.

Технологический процесс:

Получение и подготовка заготовок.

Эпитаксия.

Окисление.

Фотолитография.

Травление.