2015-05-10
274
Схема установки представлена на рисунке З.
Рисунок 3
1–полупроводниковый лазер, λ =0,65 мкм
2 -плоско-выпуклая линза в оправе
3-измерительный экран
4,5-юстируемые держатели оптики
Излучение лазера 1направляется на линзу 2 со стороны выпуклой поверхности. Для получения контрастной интерференционной картины на обе поверхности линзы нанесено отражающее покрытие Аl. Коэффициент отражения от выпуклой поверхности линзы составляет 20%, от плоской поверхности - 100%. Стекло К-8, из которого изготовлена линза, имеет показатель преломления п = 1,52. Длина когерентности lк излучения используемого лазера больше двух максимальных толщин линзы (в данном случае lк =20 мм). Для увеличения эффективной длины L>>d свет в установке распространяется по маршруту лазер-линза-экран.
Рисунок 4
На экране нанесена координатная сетка, с помощью которой можно измерить
диаметры (радиусы) светлых интерференционных колец (см.рисунок 4).
