2015-05-10
456Выполнил: Блинков. Е. М
Студент 2-го курса ВПО
Группы ВЕ-31б.
Руководитель: Пилипенко. Г. И.
14.12.2014г.
_________________________
Екатеринбург
2014г.
1. Цель работы:
Рассчитать распределение волновых функций электронов в арсенид галлиевой квантовой проволоке и оценить вероятность обнаружения электрона в той или иной части поперечного сечения проволоки.
2. Теоретическая часть:
На рисунке ниже схематически представлена энергетическая схема двухбарьерного резонансно-туннельного диода и показано протекание туннельного тока. Данный диод создается на основе арсенида галлия. При этом обычно области эмиттера состоит из p -GaAs, а коллектора — n -GaAs. При подаче на диод напряжения U:
Туннельный ток составляют электроны с разной энергией. Электроны с конкретной энергией Е создают туннельный ток.
3. Практическая часть:
Рассчитать для этих данных значение туннельного тока
1) Исходные данные:
2) Расчетная формула:
3) Вольт-амперная характеристика структуры
