Тема: Биполярные транзисторы
Цель:
1. Снять вольтамперные характеристики эмиттерного и коллекторного p-n переходов транзисторов типа p-n-p и типа n-p-n в прямом направлении. Убедитесь, что в обратном направлении токи через эти p-n переходы ничтожно малы.
2. Исследовать влияние тока базы на вольтамперную характеристику IК (UЭK) для n-p-n транзистора с помощью осциллографа.
3. Снять экспериментально и построить графики четырех семейств характеристик биполярного транзистора n-p-n типа.
4. Экспериментально исследовать влияние сопротивления в цепи коллектора на коэффициент усиления по напряжению.
5. Выполнить измерения и определить следующие электрические показатели основных схем усилителей:
· коэффициент усиления по напряжению nU,
· угол фазового сдвига j,
· входное сопротивление RВХ,
· выходное сопротивление RВЫХ.
6. Изучить выходное напряжение регулятора напряжения как функцию входного напряжения.
7. Изучить выходные напряжение и ток регулятора тока в зависимости от входного напряжения и сопротивления нагрузки.
Испытание слоев и выпрямительного действия биполярных транзисторов