2015-05-26
5961. С помощью программы Shematics, входящей в состав DesignLab 8.0, собрать схему для снятия входной характеристики транзистора.
Схема для снятия входной характеристики
| 
Модель схемы для снятия входной характеристики
|
Базовый ток в модели задается источником тока IDC – I 1, напряжение коллектор-эмиттер задается источником напряжения VDC – V 1. Напряжение на базе фиксируется с помощью маркера V.
2. Сохранить схему в рабочей папке, например, D:\Student, под именем, например, Сxema1.sch, с расширением sch.
Внимание: Имя папки и имя файла должны быть короткими и состоять только из цифр и латинских букв (кириллица не допускается).
3. Щелкнуть на транзисторе правой кнопкой мыши, при этом он окрасится. Войти в диалог Edit – Model … (редактировать модель…).
В открывшемся окне войти в диалог Change Model Reference… (изменить ссылку на модель…).
4. В новом окне заменить имя QbreakN на имя модели нужного транзистора, например Q2N987.
5. Войти в диалог Analysis – Setup… (или иконка 
), отключить режим расчета схемы по постоянному току Bias Point Detail и установить режим расчета статических характеристик DC Sweep…:
|
|
|
6. Войти в диалог Analysis – Simulate (или F11, или иконка 
) и получить входные характеристики. Далее следует изменить масштаб по оси Y, для чего, щелкнув ЛКМ слева от оси, и, поставив галочку в графе User Defined, установить нужные пределы изменения напряжения база-эмиттер. Сохранить полученные характеристики в своей папке. Затем перейти к п. 11.
7. Если возникает ошибка Model type unknown (неизвестен тип модели), но известно, что данная модель имеется в файле, допустим Bipolar.lib, который хранится в папке, например C :\MSimEv_8\ UserLib,то надо действовать так:
- войти в интерфейсный диалог Analysis – Library and Include Files ….
- с помощью команд Browse … и Add Library подключить библиотеку пользователя, включающую данную модель.
- Если такой библиотеки нет, то с помощью любого текстового редактора предварительно создается файл модели транзистора, если параметры модели известны, который потом и подключается, как описано выше.
- Не создавая файл модели транзистора можно просто ввести все параметры модели, если они известны, по команде Edit - Model - Edit instance model (text)...
8. Снова войти в диалог Analysis – Simulate (или F11, или иконка ) и получить входные характеристики. Далее следует изменить масштаб по оси Y, для чего, щелкнув ЛКМ слева от оси, и, поставив галочку в графе User Defined, установить нужные пределы изменения напряжения база-эмиттер. Если ошибок нет – перейти к п. 11.
9. Если возникает ошибка Cann’t open file (не могу открыть файл) или Can’t find library (не могу найти библиотеку), то в интерфейсном диалоге Analysis – Library and include files … с помощью команды Delete исключить из приведенного списка тот самый файл или библиотеку.
|
|
|
10. Снова войти в диалог Analysis – Simulate (или F11, или иконка ) и получить входные характеристики. Далее следует изменить масштаб по оси Y, для чего, щелкнув ЛКМ слева от оси, и, поставив галочку в графе User Defined, установить нужные пределы изменения напряжения база-эмиттер. (Надо оставить ту часть характеристики, где ток отличен от нуля: для примера в конце файла лучше задать пределы от 500 mV до 720 mV).
11. Для снятия выходных характеристик необходимо немного изменить схему в соответствии с рисунком.
Схема для снятия выходной характеристики
| 
Модель схемы для снятия выходной характеристики
|
Базовый ток задается источником тока IDC–I 1. Напряжение коллектор-эмиттер меняется с помощью источника напряжения VDC–V 1. Коллекторный ток фиксируется с помощью маркера I.
12. Сохранить новую схему в той же папке под новым именем, например, Сxema2.sch.
13. Войти в диалог Analysis – Setup … (или иконка 
) и установить режим DC Sweep, чтобы снять семейство выходных характеристик транзистора.
Затем войти в режим Nested Sweep …, установить режим и пределы изменения базового тока и поставить галочку в графе Enable Nested Sweep. В данном примере базовый ток, задаваемый источником I 1, меняется от 50мкА до 500мкА с шагом 50мкА.
15. Войти в диалог Analysis – Simulate (или F11, или иконка ) и получить семейство выходных характеристик. Сохранить полученные характеристики в своей папке.
16. Далее необходимо отметить и обозначить оси (можно с помощью программы Snagit) и указать для каждой характеристики режим измерений (Uкэ и Iб): см. пример в конце файла.
17. Затем надо сохранить полученные характеристики и схемы (файлы Сxema1.sch и Сxema2.sch) на флешке.
18. На рисунке ниже представлены обработанные входная и выходные характеристики. На характеристиках необходимо отметить рекомендуемую в первом пункте задания рабочую точку (Uкэ=5В и Iк=10мА) – см. рис. – и определить в ней малосигнальные параметры транзистора.
19. Результаты выполнения п.1 курсового проекта надо предъявить преподавателю на следующем лабораторном занятии.
- Входная характеристика
- Выходные характеристики
