Приложенное к эмиттерному переходу напряжение эмиттер – база Uбэ является для него прямым, под его действием электроны переходят из базы в эмиттер, а дырки – из эмиттера в базу – возникает прямой ток через эмиттерный переход.
При этом база насыщается дырками, которые являются для неё неосновными носителями заряда и для них коллекторный переход открыт (ускоряющее поле). Поскольку слой базы очень тонкий, большинство дырок не рекомбинируют и достигают коллектора, то есть Iк >>Iб.