мкость оксидной плёнки и диэлектрики с высокой диэлектрической проницаемостью

Увеличение С_окс предполагает, что в канал поступает больший заряд, при данном V_З-И, что, в результате, приводит к росту I_С. В технологическом узле порядка 90 нм было достигнуто уменьшение толщины оксидной плёнки приблизительно до 2 нм, оставляя небольшое свободное пространство для возможности его сжатия, с целью дальнейшего увеличения C_окс. Кроме трудностей, встречающихся в процессе изготовления более тонких пленок по принятым стандартам целостности и однородности, возникла проблема увеличения утечки к затвору тока, предназначенного стоку, которую мы обсуждали в Разделе 13.1.6. Традиционно, для затвора используется оксидная плёнка SiO₂: родной для кремния окисел, очевидно является совместимым с полупроводником. К тому же, граница раздела между этими двумя материалами достаточно хорошо исследована, что позволило разработать методики эффективного пассивирования границы раздела [7, Раздел 6.5.13]. Однако, недостаток SiO₂ в его довольно низкой (3,9) относительной диэлектрической проницаемости. За прошедшие годы, в состав оксида был включен азот, что увеличило относительную диэлектрическую проницаемость материала до 4 - 5, но тем не менее, вполне очевидно, что диэлектрик с намного большим значением диэлектрической проницаемости оказался бы существенно более полезным. Включение диэлектрика с высокой диэлектрической проницаемостью⁵ в процесс работы КМОП - структур это ещё одна активная область исследований и различного рода разработок.