Порядок расчета h – параметров

Рассмотрим порядок расчета h – параметров для схемы с общим эмиттером. Параметры h₂₂ и h₂₁ определяют по входным характеристикам в заданной или выбранной точке Р.

Для этого при неизменном токе базы I_б΄ задают приращение ΔU_кэ=U˝_кэ-U΄_кэ, находят при этом приращении тока ΔI_к и определяют выходную проводимость транзистора при I_б=const. Обратная величина h₂₂ дает выходное сопротивление r_кэ.

При постоянном напряжении U΄_кэ=const задают приращение тока базы , определяют приращение тока ΔI_к΄ и рассчитывают коэффициент передачи тока базы (коэффициент усиления по току β):

при U΄_кэ=const.

Параметры h₁₁ и h₁₂ определяют по входным характеристикам (рис.11в). Для этого в той же рабочей точке Р (U΄_кэ, I΄_б) задают приращение ΔI_б (симметрично по обе стороны от точки Р на кривой с отметкой U΄_кэ=const), находят получившееся при этом приращение ΔU_бэ и вычисляют входное сопротивление транзистора:

при U΄_кэ=const.

Наконец, при постоянном токе базы I_б΄ задают приращение напряжения , определяют получающееся при этом приращение ΔU΄_бэ и находят коэффициент обратной связи по напряжению:

при I_б΄=const.

4. Принцип определения h -параметров транзистора с ОЭ по его ВАХ показан на рисинках в соответствии с соотношениями:

h _11,э= u_бэ / i_б при u_кэ =0

h _12,э = u_бэ/ u_кэ при i_б =0

h _21,э= i_к/ i_б при u_кэ =0

h _22,э= i_к/ u_кэ при i_б =0

Список используемой литературы: