Пусть внутренней границей раздела двух областей полупроводника с различным типом проводимости является плоскость МN (рис.1,а): слева от нее находится полупроводник p-типа с концентрацией акцепторов NА, справа-полупроводник n-типа с концентрацией доноров NД. Для простоты будем считать, что NА = NД. Энергетическая схема p- и n-областей в момент их мысленного соприкосновения представлена на рис.1,б.
Для n-области основными носителями являются электроны, для p-области-дырки. Основные носители возникают почти целиком вследствие ионизации донорных и акцепторных примесей. При не слишком низких температурах эти примеси ионизированы практически полностью, вследствие чего концентрацию электронов в n-области можно считать практически равной концентрации донорных атомов NД, а концентрацию дырок в p-области можно считать равной концентрации акцепторных атомов NА.
а) б)
Рис.1.
Помимо основных носителей эти области содержат неосновные носители: n-область – дырки, p-область – электроны. Концентрация неосновных носителей на несколько порядков ниже, чем основных.
|
|
|
а)
б)
в)
Рис.2.
Объемные заряды простираются в n – область на глубину dn и в p - область на глубину dp (рис.1а.) Между заряженными слоями возникает контактная разность потенциалов, создающая потенциальный барьер, препятствующий переходу электронов из n- в p- область и дырок из p- в n- область. При этом все энергетические уровни, в том числе и уровень Ферми, в n-области понижаются, а в p-области повышаются. Состояние динамического равновесия устанавливается при условии, когда уровни Ферми оказываются на одной высоте (рис.2а). Высота потенциального барьера j0 равна разности уровней Ферми.
В равновесном состоянии через p-n-переход проходят токи основных in и ip и неосновных ins и ips носителей. Полный ток, текущий через равновесный p-n-переход, равен нулю:
i = (in + ip) – (ins + ips) = 0. (1)
Замечательным свойством p-n-перехода, которое лежит в основе работы большинства полупроводниковых приборов, является его способность выпрямлять переменный электрический ток. Рассмотрим это свойство более подробно.
Прямой ток. Приложим к p-n-переходу, находившемуся в равновесии, внешнюю разность потенциалов U в прямом направлении, подключив к p-области положительный полюс источника напряжения, а к n-области – отрицательный (рис.2, б). Эта разность потенциалов вызывает понижение потенциального барьера для основных носителей на величину qU, что приведет к увеличению в eqU/kT раз токов основных носителей in и ip, которые станут соответственно
|
|
in = ins eqU/kT, ip = ips eqU/kT. (2)
В то же время токи неосновных носителей ins и ips, величина которых не зависит от потенциального барьера p-n-перехода, остаются неизменными. Поэтому полный ток, текущий через p-n-переход, будет равен
inp = (ins + ips) (eqU/kT- 1) (3)
Этот ток называют прямым, так как он соответствует внешней разности потенциалов U, приложенной в прямом направлении. Прямой ток, обусловленный основными носителями, называют диффузионным.
Обратный ток. Приложим теперь к p-n-переходу внешнюю разность потенциалов U в обратном направлении, подключив к p-области отрицательный полюс источника напряжения, а к n-области – положительный. Под действием этой разности потенциалов потенциальный барьер p-n-перехода повысится на величину qU (рис.2,в), что вызовет уменьшение в eqU/kT раз тока основных носителей
in = ins e-qU/kT, ip = ips e-qU/kT. (4)
Токи неосновных носителей сохраняются прежними. Результирующий обратный ток будет равен
iобр = (ins + ips) (e-qU/kT - 1). (5)
Обратный ток, обусловленный неосновными носителями, называют дрейфовым.
Вольт - амперная характеристика (ВАХ).
Объединяя (3) и (5), получим
i = (ins + ips) (e±qU/kT- 1) (6)
Это соотношение представляет собой уравнение вольт-амперной характеристики (ВАХ) p-n-перехода, выражающее количественную связь между током, текущим через переход, и разностью потенциалов, приложенной к переходу; знак “+” относится к прямому направлению U, знак “-” – к обратному (запорному).
Произведем анализ этой формулы. При приложении внешней разности потенциалов в запорном (обратном) направлении с увеличением U экспонента e-qU/kT→ 0, а iобр – к предельному значению - (ins + ips), абсолютную величину которого называют током насыщения
iнас= ins + ips. (7)
Практически она достигается
Рис.3
уже при qU ≈ 4 kT, т.е. при U ≈ 0,1 В. Из (7) видно, что iнас определяется потоком через p-n-переход неосновных носителей.
Так как концентрация последних невысокая, то iнас является небольшой величиной.
При приложении к p-n-переходу внешней разности потенциалов U в прямом направлении сила тока через переход растет по экспоненте и уже при незначительных напряжениях достигает большого значения.