Классификация транзисторов

Транзисторы классифицируются по допустимой мощности рассеивания и по частоте. В соответствии с принятой классификацией транзисторы по величине мощности, рассеиваемой коллектором, делятся на транзисторы малой (Рк ЗООО мВт), средней (Рк 1,5 Вт) и большой ( Рк 1,5 Вт) мощности. По значению предельной частоты, на которой могут работать транзисторы, их делят на низкочастотные (З МГц), среднечастотные (ЗО МГц), высокочастотные (300 МГц) и сверхвысокочастотные (> ЗООМГц).

Низкочастотные маломощные транзисторы обычно изготавливают методом сплавления, поэтому их называют сплавными. Так как при изготовлении низкочастотных сплавных транзисторов обычно используют равномерно легированный исходный материал, то при малых токах электрическое поле в области базы таких транзисторов отсутствует и по механизму движения носителей они относятся к бездрейфовым.

К высокочастотным относят транзисторы с рабочими частотами свыше 30 МГц. Для обеспечения работы транзистора на таких частотах требуется уменьшить время пролета носителей через базу и область объемного заряда коллектора, уменьшить барьерные емкости и объемные сопротивления базы и коллектора. Выполнить все это на основе сплавной технологии невозможно. Основным методом изготовления высокочастотных транзисторов является диффузия примесей, такие транзисторы поэтому часто называют диффузионными. При диффузии примеси в базе распределяются неравномерно, там создается электрическое поле. Следовательно, по механизму движения носителей диффузионные транзисторы могут относиться к дрейфовым.