2015-05-29
203
Исходные данные:
- Ток коллектора Iк = 10-3 А
- Напряжение (коллектор-эмиттер) Uкэ = 5 В
- Длина эмиттера Lэ = 3 ∙ 10-3 см
- Ширина эмиттера Zэ = 3 ∙ 10-3 см
- Глубина N-области (эмиттер) Xэ = 10-3 см
- Глубина P-области (активная база) Xк = 2 ∙ 10-3 см
- Толщина эпитаксиальной пленки Wэп = 5 ∙ 10-3 см
- Поверхностная концентрация в эмиттере Nд = 1020
- Поверхностная концентрация в базе Nап = 1018
- Концентрация в эпитаксиальной пленке Nэп = 1016
- Температура окружающей среды Тс = 300 К
Таблица 1
| Lэ, 10-3 см | Bcт | Сбэ, 10-12 Ф | Fг, 108 Гц | Uкб проб, В |
| 20 | 39,9 | 8,98 | 3,23 | 68,9 |
| 30 | 41,2 | 13,1 | 2,62 | 68,9 |
| 40 | 41,7 | 17,2 | 2,2 | 68,9 |
| 50 | 41,9 | 21,2 | 1,89 | 68,9 |
Рис. 1 – зависимость параметров от Lэ
Таблица 2
| Xэ, 10-3 см | Bcт | Сбэ, 10-12 Ф | Fг, 108 Гц | Uкб проб, В |
| 10 | 41,2 | 13,1 | 2,62 | 68,9 |
| 15 | 9,71 | 3,42 | 68,9 | |
| 20 | 7,72 | 4,16 | 68,9 | |
| 25 | 6,42 | 4,81 | 68,9 |
Рис. 2 – зависимость параметров от Xэ
Таблица 3
| Nап, 1017 см | Bcт | Сбэ, 10-12 Ф | Fг, 108 Гц | Uкб проб, В |
| 5 | 77,2 | 11,8 | 3,02 | 68,9 |
| 10 | 41,2 | 13,1 | 2,62 | 68,9 |
| 50 | 8,77 | 16,2 | 1,9 | 68,9 |
| 100 | 4,41 | 17,2 | 1,65 | 68,9 |
Рис. 1 – зависимость параметров от Nап
ВЫВОДЫ
В ходе работы была исследована взаимосвязь конструктивных и электрических параметров интегрального биполярного n-p-n-транзистора (БТ). Изучили конструкцию и физико-топологическую модель интегрального n-p-n БТ. Провели теоретические исследования взаимосвязи конструктивных и электрических параметров БТ.
