Температурные зависимости концентрации носителей заряда и уровня Ферми

Собств п/п: n=p=ni; Nc=Nv; φ_F= = φ_E.Ур Ферми соотв-ет такому энерг уровню,вероятность заполнения к-ого 1/2.

Все разреш энерг ур-ни лежащие выше ур Ферми свободны,вероятность заполнения =0, те которые ниже,вероятность =1.При увелич кол-ва е-нов при данной Т вызывает пропорц уменьшение кол-ва дырок.

Примесн п/п: выразим φ_F=φ_E+ φ_T ln (n/ni)

График

При уменьшении T ср энергия фононов мала,по сравнению с энергией ионизации доноров,поэтому лишь часть доноров ионизирована и концентрация е-нов мала.В этой области ур Ферми лежит между З.П и областью доноров.

Область 1 и 2 соответств примесной электропроводности

Область 3 – область высоких температур.Энергии здесь достаточно,чтобы перебросить е-н из В.З в З.П

1) низк Т: с рост Т повыш ионизация и конц е-нов. При T2 ур Ферми совпадает с уровнем доноров

2) Конц Н.З. почти не зависит от Т

3) П/проводник становится собственным и ур Ферми приближается к серидине З.З.