Режим инверсии

При дальнейшем росте напряженности внешнего поля наступает режим инверсии, при котором поверхностная концентрация е^- превышает концентрацию дырок и концентрацию акцепторов (n_пов>Na). Тонкий участок 2 является участком инверсной электропроводностью.

;

; - Дибаевская длина экрана.

При увеличении внешнего поля увеличивается напряженность E(x) в области 2, а в области 1 она стабилизируется.

Режим обогащения.

Действие пов. заряда аналогично действию внешнего поля. При изменении полярности внешнего поля возникает режим обогащения.