Основные операции изготовления ИС

Ø Резка слитков кремния на пластины (wafers)

Ø Защитное окисление кремния-SiO2

Ø Покрытие оснований фоточувствительными плёнками

Ø Фотолитография по Si и SiO2

Ø Травление Si и SiO2 в изотропных и анизотропных травителях

Ø Диффузия примесей (образование p-n переходов)

Ø Металлизация (изготовление разводки и контактных площадок)

Ø Метрика и резка пластин на чипы

Ø Сборка ИС в корпус, метрика и каталогизация ИС

(Время цикла изготовления ИС – 50 суток)

Что определяет физические свойства нанотрубок, используемых в качестве проводников, полупроводников и диэлектриков.

Физические свойства УНТ в значительной степени определяются их хиральностью (свойство молекулы быть несовместимым со своим зеркальным отражением любой комбинацией вращений и перемещений в трёхмерном пространстве). Многочисленные теоретические расчеты дают общее правило для определения типа проводимости УНТ:

трубки с (n, n) всегда металлические и если n – m= 3j, где j – нуль или целое число;

трубки с n – m= 3j, где j не нулевое целое число, являются полупроводниками с малой шириной запрещенной зоны; а все остальные являются полупроводниками с большой шириной запрещенной зоны.

БИЛЕТ № 9

1. Существуют ли пределы и какова сейчас степень интеграции микросхем.

Степень интеграции микросхемы зависит от размера кристалла и количества помещенных на нем транзисторов. Основным фактором, определяющим возможность увеличения числа транзисторов сверхбольшой интегральной схемы, являются минимальные топологические размеры элементов, называемые также проектными нормами. Обычно эта величина измеряется в микронах (мкм). По мере уменьшения проектных норм могут быть увеличены и тактовые частоты работы микропроцессора.

Сетевой график развития индустрии исключает проектные нормы 0,15 мкм для производства полупроводниковых микросхем. Стандартными проектными нормами в 2002 г. должны стать 0,13 мкм, 2005 г. - 0,1, 2008 г. - 0,07 и в 2014 г. - 0,035 мкм. Последние цифры, в частности, означают, что при производстве терабитных микросхем на 1 кв. см будет расположено до 390 млн. транзисторов. Заметим, однако, что потребляемая мощность - один из основных факторов, ограничивающих сложность кристалла.