Магнетронное распыление

Сущность метода – распыление материала катода при бомбардировке его ионами рабочего газа, доставка продуктов распыления электро-магнитным полем в зону заготовки, осаждение продуктов распыления на поверхность заготовки. Процесс ведётся при давлении 0,1…0,01 МПа. Напряжение между катодом и анодом 300…1000 В. Распылённые атомы катода ионизируются электронами электро-магнитного поля и в ионизированном состоянии начинают движение в зоне заготовки. Покрытия при магнетронном распылении отличаются большой плотностью, высокой химической чистотой и низкой пористостью. Основным недостатком является низкая производительность, сложность установки и вредность процесса.

Вакуумно-плазменная обработка

Сущность вакуумно-плазменной обработки– нагрев и испарение маталла покрытия при электронной бомбардировке, ионизация компонентов газовой фазы электронным разрядом, доставка ионов покрытия в зону заготовки в ускоряющем электро-статическом и электро-магнитном поле, взаимодействие ионов с поверхностью заготовки. Этим способом можно наносить покрытия как из металлов, так и неметаллов, оксидов, карбидов и нитридов. В последнем случае поток электронов смешивается с реактивным газом и в зону заготовки поступает сформировавшееся соединение. Испарение и доставка ионов производится под давлением 0,1 МПа. Покрытия обладают хорощей адгезией в подложке, большой равномерностью и относительно высокой плотностью. Недостатки – ухудшается шероховатость поверхности и формируются растягивающие О.Н. Поэтому после этой обработки провадят отжиг и обработку ППД. Данным методом наносят покрытия из чистых металлов (Cu, Ta, Mo, Cr, кадмий, ниобий), а так же многокомпонентные системы-сплавы (Ni-C-Al, Ni-Cr).