Основные тенденции развития электронной техники

Основные тенденции развития современной электронной техники

1.1 Основные тенденции развития ЭТ.

1.2 Элементная база современной ЭТ.

1.3 Специализированные БИС и СБИС.

Литература:

1. Полупроводниковые приборы, интегральные микросхемы и технология их производства: Учебник / Ю. Е. Гордиенко, А. М. Гуржий, А. В. Бородин,

С. С. Бурдукова.– Харьков: «Компания СМИТ», 2004.– 620 с.

2. Быстродействующие матричные БИС и СБИС. Теория и проектирование. Под ред. Б. Н. Файзулаева и И. И. Шагурина. – М.:Радио и связь,1989.– 304 с.

3. Пономарев М. Ф., Коноплев Б. Г. Базовые матричные кристаллы и программируемые логические матрицы. – М.:Высш.шк.,1987. – 94 с.

4. Стешенко В. Б. ПЛИС фирмы «ALTERA»: элементная база, система проектирования и языки описания аппаратуры. – М.:Издательский дом «Додэка»,2002. – 576 с.

5. Угрюмов Е. П. Цифровая схемотехника. – СПб, БХВ, Петербург,2001. – 528 с.

Основные тенденции развития электронной техники

Непрерывное усложнение функциональной плотности аппаратуры происходит при непрерывном увеличении надежности, уменьшении энергопотребления, уменьшении массы и габаритов, что вызывает противоречие основных тенденций развития:

а) с увеличением сложности увеличивается количество компонентов и снижается надежность;

б) с уменьшением габаритов увеличивается удельная мощность рассеяния – это приводит к перегреву активных компонентов, что снижает надежность аппаратуры;

в) уменьшение габаритов приводит к увеличению системных помех;

г) массовое применение цифровой обработки сигнала требует разработки АЦП повышенного быстродействия и повышенной точности, а также прецизионных операционных усилителей повышенного быстродействия и специализированных процессоров цифровой обработки сигналов.

Эти противоречивые требования устраняются:

– применением специализированных микросхем высокой степени интеграции (БИС, СБИС), разработанных для применения в конкретной аппаратуре;

– реализацией специализированных БИС и СБИС. При реализации специализированных СБИС осуществляется:

1) достижение снижения потребляемой мощности применением переключателей напряжения и уменьшением рабочих напряжений и токов ИС;

2) применение новых материалов и технологий для увеличения крутизны транзисторов, а также для уменьшения и ЛЭ до субнаносекундных величин и увеличения быстродействия межсоединений;