Нормальный активный режим

Переход эмиттер-база включен в прямом направлении (открыт), а переход коллектор-база — в обратном (закрыт)
U_ЭБ>0;U_КБ<0 (для транзистора p-n-p типа, для транзистора n-p-n типа условие будет иметь вид U_ЭБ<0;U_КБ>0. Этот режим используется при использовании транзисторов для усиления сигналов или при построении аналоговых схем.

Инверсный активный режим

Эмиттерный переход имеет обратное включение, а коллекторный переход — прямое. При таком включении вследствие несимметричности характеристик параметры транзистора оказываются гораздо хуже, поэтому практически транзисторы в этом режиме не используются.

Режим насыщения

Оба p-n перехода смещены в прямом направлении (оба открыты). Если эмиттерный и коллекторный р-n-переходы подключить к внешним источникам в прямом направлении, транзистор будет находиться в режиме насыщения. Диффузионное электрическое поле эмиттерного и коллекторного переходов будет частично ослабляться электрическим полем, создаваемым внешними источниками Uэб и Uкб. В результате уменьшится потенциальный барьер, ограничивавший диффузию основных носителей заряда, и начнется проникновение (инжекция) дырок из эмиттера и коллектора в базу, то есть через эмиттер и коллектор транзистора потекут токи, называемые токами насыщения эмиттера (IЭ.нас) и коллектора (IК.нас).