2015-06-05
362
Собрать схему для снятия характеристик транзистора при включении его по схеме с ОЭ (рисунок 5.2).
4.1. Снять две входные характеристики IБ=f(UБЭ); одну при UКЭ=0, вторую при UКЭ=5. Входное напряжение при этом менять до такой величины, при которой электрические параметры транзистора не превышают максимально допустимых значений.
Результаты измерений занести в таблицу 3, которая аналогична таблице 1.
Таблица 1. IЭ= f(UЭБ)½ UКБ=const
| UЭБ,В | 0,1 | 0,2 | 0,3 | 0,4 | ||
| UКБ= 0 В | IЭ, | 0,018 | 0,044 | 0,078 | 0,1 | IЭ =0,5×IЭ МАКС |
| UКБ =5 В | мА | 0,004 | 0,022 | 0,056 | 0,09 |
4.6. Снять семейство из 7-8 выходных характеристик IК=f(UКЭ) при токах базы, указанных на типовых характеристиках в справочнике, включая IБ=0. Особое внимание обратить на участок характеристик в режиме насыщения, т.е. UКЭ=0 - 1 В. Результаты измерений заносятся в таблицу 4. Пример таблицы приведен ниже.
Таблица 4. IК=f(UКЭ)½ IБ=const
| UКЭ,В | 0,1 | 0,2 | 0,3 | ||||
| IБ1 =0 мкА | IК,мкА | 0,0012 | 0,02 | 0,022 | 0,024 | 0,26 | 0,3 |
| IБ2=25 | 0,05 | 0,44 | 0,66 | 1,2 | 1,3 | 1,4 | |
| IБ3=50 | 0,1 | 0,5 | 0,8 | 2,2 | 2,65 | 2,8 | |
| IБ4=75 | 0,24 | 0,55 | 0,92 | 3,3 | 4,4 | ||
| IБ5=100 | IК, мА | 0,4 | 0,8 | 1,4 | 4,6 | 5,6 |
|
|
|
