Электрофизические свойства полупроводниковых материалов

К полупроводникам относят материалы, которые по величине удельной электрической проводимости занимают промежуточное положение между проводниками и диэлектриками. Электропроводность полупроводников в значительной степени зависит от температуры и концентрации примесей, что объясняется особенностями их кристаллической структуры. Основными материалами, применяемыми в полупроводниковой электронике, являются четырехвалентные кремний (Si) и германий (Ge), а также бинарные соединения типа AⁱⁿB^v, например арсенид галлия GaAs.