Характеристики элементов ТТЛ

I. -Эта область рабочая.При низком уровне (НУ) на входе на выходе высокий уровень (ВУ). При дальнейшем увеличении напряжения U_X, напряжение U_A увеличивается и при достижении 1.5 В приоткрывается VT₂. В следствии этого появляется ток через сопротивление R₂. Транзистор VT₃ при этом еще открыт. Падение напряжения на R₂ (U_R2) увеличивается. Это влечет за собой уменьшение U_Y, что отмечено понижением U_ВЫХ в области II.

II. Эта область так же является рабочей, но входить в нее нежелательно, так как повышается помехоустойчивость. Завод изготовитель рекомендует 0.8 В.

III. - Динамическая область. При дальнейшем увеличении напряжения U_X производится отпирание VT₂ и VT₄ и U_ВЫХ падает до величины низкого уровня.

IV. - Статическая область. Напряжение U_X=ВУ. VT₄ находится в насыщении, напряжение U_Y=НУ. Граница около 2 В. Завод изготовитель рекомендует 2.4 В.

В современных микросхемах во избежание помехонеустойчивости в области II вместо R₃ используют дополнительный транзистор VT_5, который параллелен VT_4. Эти транзисторы открываются одновременно. Таким образом даже при открытии VT₂ ток через R₂ отсутствует, так как отсутствует цепь для протекания этого тока.

2. Входная характеристика.

I - НУ на входе. С увеличением входного напряжения I_ВХ падает, так как увеличивается U_A. Следовательно I_R1 уменьшается. Наклон характеристики определяется величиной R₁. Когда U_ВХ достигнет U_П [1.3;1.6] Транзистор будет переходить в инверсный режим и ток I_R1 будет переключаться в базу VT₂,следовательно I_ВХ будет быстро падать (II область).

Ш U_x = ВУ; в эмиттере протекает I_ВХ.