Усиление в схеме с общим эмиттером

Расчёт задания режима простейшего усилителя по постоянному току (задание токов покоя). Основная идея заключается в том, что на ВАХ выбирают участок примерно в середине нагрузочной прямой. (125) Изменение Т приводит к изменению положения рабочей точки, т.к. меняется b. В середине выбирается участок для создания запаса, чтобы не допустить выход на нелинейные искажения.

1.U_кр.т. = Е_к/2; 2.I_кр.т. = Е_к/2R_н; 3. I_брт = I_кр.т./b; 4. R_б1 = Е_к - 0.7 В/I_брт; 0.7 В-падение на p-n-переходе (Si);

Недостатки схемы: 1.Плохая термоустойчивость;

2. Большая чувствительность к замене транзистора; (126)

1. U_эрт = (0.1 - 0.2)Е_к; 2. U_крт = (Е_к - U_эрт)/2 +U_эрт;

3. I_крт = (Е - U_эрт)/2R_н; 4.U_б = 0.7 В + U_эрт; 5. I_дел» 10 * I_брт;

6. I_брт = I_крт/b; 7. R_б1 = (E_к - U_брт/I_дел; 8. R_б2 = U_брт/(I_дел - I_б);

Делитель жестко задает потенциал базы. Применение R₂ создает цепь отрицательной обратной связи по току. С увеличением тока возрастает U_э, что уменьшает U_бэ, а это в свою очередь уменьшает I_б. Снижение I_б приводит к уменьшению I_э (I_к). Отрицательная связь препятствует уходу из рабочей точки. Обратная связь устанавливает постоянный ток. C_э выключает действие обратной связи по переменному току. Эта схема более устойчивая к изменению температуры. В ней меньше сказывается уход рабочей точки при замене транзистора.

Дрейфовые транзисторы

Применяемые в настоящее время технологии изготовления биполярных транзисторов формируют профили распределения легирующих примесей с максимумом концентрации в активной базе. На рис.. представлено распределение примесей в транзисторе, изготовленном по методу двойной диффузии. На низкоомную подложку p-типа наращивается эпитаксиальный высокоомный слой коллектора. Он необходим для обеспечения высоковольтности транзистора. Низкоомная подложка необходима для уменьшения сопротивления тела коллектора. Далее в эпитаксиальный слой проводится базовая диффузия примесей n-типа. После этого проводится эмиттерная диффузия. Наличие максимума концентрации в активной части базы к появлению электрического поля в базе. Поэтому инжектированные носители пермещаются в базе за счёт диффузии и дрейфа. Отсюда и происходит название таких транзисторов.

(Малосигнальные эквивалентные схемы транзистора)