Параметры, характеризующие свойства транзистора усиливать напряжение

Крутизна стокозатворной характеристики S (крутизна характеристики полевого транзистора):

.

Обычно задается u_зи =0. При этом для транзисторов рассматривается крутизна максимальная Для КП103Л S=1,8…3,8 мА / В при u_ис =0, t =20°C.

Внутреннее дифференциальное сопротивление R_ис.диф (внутреннее сопротивление) определяется выражением:

.

Для КП103Л при u_ис =10 В, u_зи =0.

Коэффициент усиления

.

Можно отметить, что

.

Для КП103Л при S =2 мА / В и R_ис.диф =25 кОм М=2 (мА / В)·25 кОм =50.

Принципы управления параметрами электронного активного элемента, заложенные в полевых транзисторах, могут быть реализованы в более сложных электронных устройствах. К таким устройствам можно отнести ячейку памяти на основе полевого транзистора с изолированным затвором (флэш-память). Устройства флэш-памяти являются современными быстродействующими программируемыми постоянными запоминающими устройствами (ППЗУ) с электрической записью и электрическим стиранием информации (ЭСП-ПЗУ). Эти устройства являются энергонезависимыми, так как информация не стирается при отключении питания, выдерживают не менее 100 000 циклов записи/стирания.

Одной из разновидностей приборов, реализующих принципы полевых транзисторов, являются полупроводниковые приборы с зарядовой связью (ПЗС). Приборы с зарядовой связью используются:

· в запоминающих устройствах ЭВМ;

· в устройствах преобразования световых (оптических) сигналов в электрические.