Пример 2. Наноструктурированных пленок

Иммобилизацию ферредоксин-NADP-редуктазы осуществляли на пленке TiO₂, полученной аналогично примеру 1 из порошка нанокристаллов со средним размером 25 нм с удельной поверхностью 50 м² /г (Aeroxide P25) с использованием 0,1 М азотной кислоты. Адсорбцию проводили на пленке площадью 3 см² толщиной 8 мкм (подложка из стекла с токопроводящим покрытием) в среде водного буферного раствора (ТРИС, 0,05 М, рН 7,2), содержащего 0,5·10 ^-5 М ферредоксин-NADP-редуктазы, при температуре 4°С в течение 2 суток. Полученный фотобиокатализатор промывали буферным раствором от остатков фермента, величина адсорбции ферредоксин-NADP-редуктазы составила 0,8 нмоль (0,033 мг) на 1 см² поверхности пленки диоксида титана.

· Название: "Способ получения мезопористых наноструктурированных пленок диоксида титана и способ иммобилизации на них ферментов"

· МПК:

C01G23/047 (2006.01)
C12N11/14 (2006.01)
B01J37/36 (2006.01)

· Номер и код вида документа: 2326818 C1

· Опубликовано: 20.06.2008

· Страна публикации: Россия

· Авторы: Надточенко Виктор Андреевич (RU), Никандров Виталий Викторович (RU), Саркисов Олег Михайлович (RU), Семенов Алексей Юрьевич (RU), Бухарина Наталия Сергеевна (RU), Перменова Елена Петровна (RU), Козлов Юрий Никитович (RU)

· Патентообладатели: Институт химической физики им. Н.Н. Семенова РАН (ИХФ РАН) (RU), Институт биохимии им. А.Н. Баха РАН (RU)

· Адрес для переписки: 119991, Москва, ул. Косыгина, 4, Институт химической физики РАН, патентный отдел

· Формула изобретения: способ получения мезопористых наноструктурированных пленок диоксида титана и способ иммобилизации на них ферментов

· Область применения: Химия, металлургия, различные технологические процессы, транспортирование: использование в биотехнологии при иммобилизации ферментов на мезопористых наноструктурированных пленках диоксида титана с целью получения фотобиокатализаторов.

Способ получения мезопористых наноструктурированных пленок диоксида титана включает нанесение на твердую подложку водосодержащей композиции на основе диоксида титана, содержащей стабилизатор и порообразующий полимер, последующую сушку и кальцинирование. Для приготовления водосодержащей композиции используют порошок нанокристаллов диоксида титана со средним размером частиц от 6 до 25 нм и с удельной поверхностью 50-300 м²/г, который смешивают со стабилизатором и подвергают ультразвуковому дезагрегированию. Затем добавляют порообразующий полимер в количестве 10-30% от массы диоксида титана и водный раствор ПАВ до массового соотношения TiO ₂:Н₂О=1:1-10. Полученную пасту гомогенизируют ультразвуком, наносят на подложку, сушат при комнатной температуре и кальцинируют в присутствии воздуха или кислорода при температуре 400-600°С. В способе иммобилизации фермента адсорбируют фермент на поверхности полученной наноструктурированной мезопористой пленки диоксида титана в среде буферного раствора при рН меньше 8. Изобретение позволяет обеспечить толщину получаемых пленок не менее 2 мкм для иммобилизации на них достаточного количества фермента для эффективного протекания фотобиокаталитических процессов.

· Название: "Способ получения тонких наноструктурированных однослойных покрытий на основе диоксида кремния золь-гель методом в присутствии неорганических кислот и их солей"

· МПК:

C03C17/30 (2006.01)
B82B1/00 (2006.01)

· Номер и код вида документа: 2450984 C1

· Опубликовано: 20.05.2012

· Страна публикации: Россия

· Авторы: Борило Людмила Павловна (RU), Спивакова Лариса Николаевна (RU), Иванова Екатерина Сергеевна (RU)

· Патентообладатель: Государственное образовательное учреждение высшего профессионального образования "Томский государственный университет" (ТГУ) (RU)

· Адрес для переписки: 634050, г.Томск, пр-кт Ленина, 36, ТГУ, отдел коммерциализации результатов НИОКР, Л.Н. Спиваковой

· Формула изобретения: способ получения тонких наноструктурированных однослойных покрытий на основе диоксида кремния золь-гель методом в присутствии неорганических кислот и их солей

· Область применения: Химия, металлургия, различные технологические процессы, транспортирование.

Изобретение относится к тонкопленочным интерференционным покрытиям для просветления оптических элементов. Способ получения тонких наноструктурированных однослойных покрытий на основе диоксида кремния включает золь-гель процесс тетраалкоксида кремния в присутствии добавки соляной кислоты и хлорида иттрия, при наличии которой после нагревания образуется прозрачная пленка на основе диоксида кремния с просветляющим эффектом. Готовят пленкообразующий раствор при следующем соотношении компонентов, мас.%: тетраэтоксисилан - 4,37-5,81, кристаллогидрат хлорида иттрия - 6,65-8,67, соляная кислота - 0,01, 96% мас. этиловый спирт - остальное. После созревания его наносят на стеклянную подложку и подвергают ступенчатой термообработке. Нагревание образца проводят в атмосфере воздуха при 500-700°С в течение одного часа. Технический результат изобретения - снижение времени получения просветляющего нанопористого покрытия

· Название: "Способ формирования наноструктурированных пористых слоев"

· МПК: B82B3/00 (2006.01)

· Номер и код вида документа: 2388683 C1

· Опубликовано: 10.05.2010

· Страна публикации: Россия

· Авторы: Мурзин Сергей Петрович (RU), Трегуб Валерий Иванович (RU), Трегуб Николай Валерьевич (RU), Меженин Андрей Викторович (RU), Осетров Евгений Леонидович (RU)

· Патентообладатель: Государственное образовательное учреждение высшего профессионального образования Самарский государственный аэрокосмический университет имени академика С.П. Королева (RU)

· Адрес для переписки: 443086, г.Самара, Московское ш., 34, СГАУ, отдел интеллектуальной собственности

· Формула изобретения: способ формирования наноструктурированных пористых слоев

· Область применения: Различные технологические процессы, транспортирование.

Изобретение относится к формированию наноструктурированных пористых слоев твердокристаллических материалов воздействием энергетических потоков и может применяться при получении наноструктурированных поверхностных слоев в сплавах типа твердый раствор, а также сквозных нанопор в металлических фольгах и пленках. Сущность изобретения: формирование наноразмерной пористой структуры осуществляют после формирования субмикропористого поверхностного слоя путем энергетического воздействия на заготовки из сплавов типа твердый раствор последующей пластической деформацией заготовок с изменением характерного размера и глубины пор приложением растягивающих напряжений при растяжении или изгибе, либо приложением сжимающих напряжений при сжатии или изгибе при температурах, не превышающих температуру порога рекристаллизации, причем формирование наноразмерной пористой структуры проводится как с одной, так и с обеих сторон заготовок в зависимости от их состояния до деформации. Техническим результатом изобретения является расширение функциональных возможностей способа формирования наноструктурированных поверхностных слоев за счет активации воздействием энергетическими потоками процессов сублимации одного из компонентов сплава типа твердый раствор с последующей деформацией заготовки, а также за счет исключения ряда операций.

· Название: "Способ получения упорядоченных наноструктурированных пленок на основе наночастиц"

· МПК:

H01L21/31 (2006.01)
B82B1/00 (2006.01)

· Номер и код вида документа: 2387044 C1

· Опубликовано: 20.04.2010

· Страна публикации: Россия

· Авторы: Алфимов Михаил Владимирович (RU), Лебедев-Степанов Петр Владимирович (RU), Хохлов Павел Евгеньевич (RU)

· Патентообладатель: Центр Фотохимии Российской Академии наук (RU)

· Адрес для переписки: 121165, Москва, Г-165, а/я 15, ООО "ППФ-ЮСТИС"

· Формула изобретения: способ получения упорядоченных наноструктурированных пленок на основе наночастиц

· Область применения: Электричество, различные технологические процессы, транспортирование: получение нанострукгурированных тонкопленочных материалов с заданными свойствами для микро- и наноустройств: микро- и наносенсоров, чипов, фотонных кристаллов и т.д.

Сущность изобретения: в способе получения упорядоченных наноструктурированных пленок на основе наночастиц путем структурирования подложки и последующего нанесения на него слоя сферических наночастиц материала пленки методом центрифугирования наночастиц из дисперсии, структурирование подложки осуществляют путем нанесения на подложку слоя сферических наночастиц большего диаметра, чем наночастицы материала пленки, методом центрифугирования. Изобретение обеспечивает более тонкое структурирование подложки.

· Название: "Коррозионно-стойкий сплав на основе марганца для наноструктурированных покрытий"

· МПК:

C22C22/00 (2006.01)
B82B1/00 (2006.01)

· Номер и код вида документа: 2367699 C1

· Опубликовано: 20.09.2009

· Страна публикации: Россия

· Авторы: Сомкова Екатерина Александровна (RU), Васильев Алексей Филлипович (RU), Кузнецов Павел Алексеевич (RU), Сергеева Оксана Сергеевна (RU), Фармаковский Борис Владимирович (RU)

· Патентообладатель: ФЕДЕРАЛЬНОЕ ГОСУДАРСТВЕННОЕ УНИТАРНОЕ ПРЕДПРИЯТИЕ "ЦЕНТРАЛЬНЫЙ НАУЧНО-ИССЛЕДОВАТЕЛЬСКИЙ ИНСТИТУТ КОНСТРУКЦИОННЫХ МАТЕРИАЛОВ "ПРОМЕТЕЙ" (ФГУП "ЦНИИ КМ "ПРОМЕТЕЙ") (RU)

· Адрес для переписки: 191015, Санкт-Петербург, ул. Шпалерная, 49, ФГУП "ЦНИИ КМ "ПРОМЕТЕЙ"

· Формула изобретения: коррозионно-стойкий сплав на основе марганца для наноструктурированных покрытий

· Область применения: Химия, металлургия, различные технологические процессы, транспортирование

Изобретение относится к прецизионным сплавам с особыми физико-химическими свойствами, а именно к сплавам на основе марганца с высокой стойкостью в агрессивных средах и высоким электросопротивлением, и может быть использовано для элементов систем управления в прецизионном приборостроении, а также для использования в виде тонких резистивных пленок и покрытий схемных элементов сопротивления. Техническим результатом изобретения является повышение коррозионной стойкости сплава при сохранении высокого электросопротивления. Сплав имеет следующий состав, мас.%: галлий 29,1-32,2; цирконий 8,0-12,0; иттрий 0,2-0,8; марганец - остальное. Структура сплава представляет собой систему кластеров из наночастиц размером от 50 до 200 нм. Характеристики предложенного сплава: удельное сопротивление 3,0-3,6 Ом·мм²/м; температурный коэффициент сопротивления (ТКС)±10·10^-6 К^-1 в интервале температур от минус 60 до плюс 155°С; коррозионная стойкость 0,001-0,005 мм/год.

· Название: " Тонкопленочный наноструктурированный электродный материал и способ получения"

· МПК:

H01M4/36 (2006.01)
B82B1/00 (2006.01)

· Номер и код вида документа: 2414771 C1

· Опубликовано: 20.03.2011

· Страна публикации: Россия

· Авторы: Рогинская Юлиана Еремеевна (RU), Скундин Александр Мордухаевич (RU), Кулова Татьяна Львовна (RU)

· Патентообладатель: Федеральное государственное унитарное предприятие "Научно-исследовательский физико-химический институт им. Л.Я. Карпова" (RU)

· Адрес для переписки: 105064, Москва, ул. Воронцово поле, 10, ГНЦ РФ НИФХИ им. Л.Я. Карпова, патентный отдел, С.А. Мотову

· Формула изобретения: тонкопленочный наноструктурированный электродный материал и способ получения

· Область применения: Электричество, различные технологические процессы, транспортирование

Изобретение относится к области металлоксидных тонкопленочных технологий, к способу получения наноструктурированных пленочных электродных материалов. Тонкопленочный наноструктурированный электродный материал, содержащий нанокристаллиты одной фазы рутильных твердых растворов оксидов олова и титана, внедренные в матрицу аморфного оксида олова, согласно изобретению, состоит из оксидов олова и титана в соотношении: оксид олова (IV) - 100 мас.ч., оксид титана (IV) - 3÷13 мас.ч., причем степень кристалличности электродного материала (отношение массы кристаллической фазы ко всей массе пленки) находится в пределах 40-60%. Наноструктурированные пленки получают нанесением смешанного раствора хлоридов олова и одного из металлов Sb, Zr, Pb, Bi, In в водной солянокислой среде на металлические подложки и дальнейшей термообработкой на воздухе при 350-450°С. Техническим результатом является увеличение удельной емкости, высокая кулоновская эффективность в процессах заряжения и разрядки в литий-ионных ячейках.

· Название: " Тонкопленочный материал и способ получения тонкопленочного материала"

· МПК:

B01J13/14 (2006.01)
C08J5/18 (2006.01)
C08J7/04 (2006.01)

· Номер и код вида документа: 2336941 C1

· Опубликовано: 27.10.2008

· Страна публикации: Россия

· Авторы: Кокшаров Юрий Алексеевич (RU), Хомутов Геннадий Борисович (RU), Кислов Владимир Владимирович (RU), Таранов Игорь Владимирович (RU)

· Патентообладатели: Хомутов Геннадий Борисович (RU), Кокшаров Юрий Алексеевич (RU)

· Адрес для переписки: 117393, Москва, ул. Акад. Пилюгина, 12, корп.1, кв.251, Г.Б. Хомутову

· Формула изобретения: тонкопленочный материал и способ получения тонкопленочного материала

· Область применения: Химия, металлургия, различные технологические процессы, транспортирование: разработка новых наноструктурированных тонкопленочных материалов, используемых в системах управляемого транспорта и доставки микронных, субмикронных и молекулярных объектов в жидкой фазе, в технологиях биоинженерии, в нанометрических технологиях сборки, в аналитических, сенсорных, биомедицинских, косметических, каталитических, мембранных технологиях

Тонкопленочный материал выполнен в виде свободной тонкой пленки в жидкой фазе, включающей коллоидные частицы, химически связанные между собой в плоскости пленки, при этом компоненты материала по отдельности способны образовывать растворы в жидкой фазе. Материал формируют способом на основе эффектов самосборки и самоорганизации низкоразмерных структур непосредственно в объеме жидкой фазы. Приготавливают исходные растворы индивидуальных компонентов материала и формируют жидкую фазу, содержащую получаемый тонкопленочный материал. Проводят процессы связывания и образования химических связей между коллоидными частицами путем однократного или многократного добавления раствора, содержащего один или несколько реагентов или компонентов, в раствор другого компонента или других компонентов формируемого тонкопленочного материала. Формирование тонкопленочной структуры материала проводят в объеме жидкой фазы в течение промежутка времени, достаточного для протекания процессов связывания компонентов материала и образования свободной тонкопленочной структуры. Тонкопленочный материал в виде слоя наносят на поверхность протяженных изделий - нитей, проволоки, стержней и других. Метод получения тонкопленочного материала является экологически безопасным, обеспечивает получение большого количества материала и предполагает возможности автоматизации технологического процесса.

· Название: "Способ формирования многослойных нанокристаллических пленок с гетерогенной границей раздела и устройство для формирования многослойных нанокристаллических пленок с гетерогенной границей раздела"

· МПК:

C30B25/22 (2006.01)
B82B3/00 (2006.01)

· Номер и код вида документа: 2436876 C1

· Опубликовано: 20.12.2011

· Страна публикации: Россия

· Автор: Томаев Владимир Владимирович (RU)

· Патентообладатель: Федеральное государственное образовательное учреждение высшего профессионального образования Санкт-Петербургский государственный университет (RU)

· Адрес для переписки: 199034, Санкт-Петербург, Университетская наб., 7/9, Университет, Департамент интеллектуальной собственности и трансфера технологий, Т.И. Матвеевой

· Формула изобретения:

1. Способ формирования многослойных нанокристаллических пленок с гетерогенной границей раздела, заключающийся в приготовлении раствора смеси солей металлов, аэрозольном нанесении упомянутого раствора на поверхность подложки в потоке газа-носителя, удалении растворителя из раствора смеси солей металлов и формировании на поверхности подложки многослойных нанокристаллических пленок металлов в результате термического разложения солей металлов, отличающийся тем, что поверхность подложки предварительно нагревают, из раствора смеси солей металлов формируют аэрозольный туман, который переносят и осаждают на поверхность подложки потоком кислородсодержащего газа-носителя, давление газа-носителя поддерживают выше атмосферного, формируют гетерогенную границу раздела путем нанесения на сформированный нанокристаллический слой нанокристаллического слоя другого химического состава, отличающегося от предыдущего.

2. Устройство для формирования многослойных нанокристаллических пленок с гетерогенной границей раздела, включающее кварцевый реактор с подложками, нагреватель для нагрева подложек, две изолированные друг от друга кюветы для растворов смесей солей металлов, отличающееся тем, что каждая из двух изолированных друг от друга кювет снабжена ультразвуковым генератором, на входе устройство снабжено компрессором и магнитным клапаном для регулировки избыточного давления в реакторе, к подложке подсоединен через шток электродвигатель, на выходе устройство снабжено нейтрализатором остаточных газов, кварцевый реактор выполнен в виде трубы, по обе стороны которой размещены металлические втулки.

· Область применения: Химия, металлургия, различные технологические процессы, транспортирование: использование в технологии изготовления металлических, полупроводниковых и диэлектрических материалов и приборов, в частности, для нанесения многослойных нанокристаллических тонких пленок этих материалов химическим способом.

Способ заключается в приготовлении раствора смеси солей металлов, аэрозольном нанесении упомянутого раствора на поверхность подложки в потоке газа-носителя, удаления растворителя из раствора смеси солей металлов и формировании на поверхности подложки многослойных нанокристаллических пленок металлов в результате термического разложения солей металлов, при этом поверхность подложки предварительно нагревают, из раствора смеси солей металлов формируют аэрозольный туман, который переносят и осаждают на поверхность подложки потоком кислородсодержащего газа-носителя, давление газа-носителя поддерживают выше атмосферного, формируют гетерогенную границу раздела путем нанесения на сформированный нанокристаллический слой нанокристаллического слоя другого химического состава, отличающегося от предыдущего. Технический результат изобретения заключается в возможности получения многослойных периодически чередующихся нанокристаллических пленок разного фазового состава с возможностью осуществления контроля за толщиной пленок и за дисперсностью зерен. Изобретение позволяет существенно увеличить производительность получения таких многослойно чередующихся нанокристаллических пленок, сократить время их получения, уменьшить трудоемкость процесса, а также упростить устройство, реализующее заявленный способ. Фактически заявлена новая технология изготовления металлических, полупроводниковых и диэлектрических материалов и приборов с использованием нанокристаллических пленок с высокой адгезией и с разным фазовым составом

· Название: "Структура и способ изготовления интегральных автоэмиссионных элементов с эмиттерами на основе наноалмазных покрытий"

· МПК:

H01J9/02 (2006.01)
B82B1/00 (2006.01)
B82B3/00 (2006.01)

· Номер и код вида документа: 2455724 C1

· Опубликовано: 10.07.2012

· Страна публикации: Россия

· Авторы: Красников Геннадий Яковлевич (RU), Зайцев Николай Алексеевич (RU), Орлов Сергей Николаевич (RU), Хомяков Илья Алексеевич (RU), Яфаров Равиль Кяшшафович (RU)

· Патентообладатель: Открытое акционерное общество "НИИ молекулярной электроники и завод "Микрон" (RU)

· Адрес для переписки: 124460, Москва, Зеленоград, 1-й Западный пр-д, 12, стр.1, ОАО "НИИМЭ и Микрон"

· Формула изобретения: структура и способ изготовления интегральных автоэмиссионных элементов с эмиттерами на основе наноалмазных покрытий

· Область применения: Электричество, различные технологические процессы, транспортирование: изготовление приборов вакуумной микроэлектроники.

Техническим результатом изобретения является использование в качестве материала эмиттера наноалмазных покрытий, представляющих собой углеродные пленки, которые содержат наноструктурированные алмазные компоненты, что приводит к повышению деградационной стойкости, плотности тока и уменьшению рабочих напряжений в интегральных приборах вакуумной нано- и микроэлектроники. Сущность изобретения: интегральный автоэмиссионный элемент включает подложку, покрытую диэлектрическим слоем, катодную структуру, состоящую из одного или нескольких слоев электропроводящего материала и расположенную на внешней поверхности упомянутой подложки, опорную структуру, расположенную на верхней поверхности упомянутой катодной структуры и содержащую сквозные отверстия, внутри которых формируются катоды на основе наноалмазных покрытий, расположенные на внешней поверхности катодной структуры, анодный слой из электропроводящего материала, расположенный на внешней поверхности упомянутой опорной структуры и содержащий технологические отверстия, совмещенные с упомянутыми отверстиями в опорной структуре.