Для выбора типа транзистора необходимо определить, мощность Р0, которая будет выделяться на транзисторе:
Р0 = Р~/ηк, где ηк — коэффициент использования транзистора (ηк =0,035-0,45; чем больше напряжение питания Еп тем тем больше ηк);
Р~ мощность, отдаваемая транзистором: Р~ = Рвых/ηт,
где ηт – К.П.Д. трансформатора. К.П.Д. трансформатора принимают равным 0,7-0,9. Ориентировочно определяют падения напряжения на активном сопротивлении первичной обмотки трансформатора rт1 и на сопротивлении Rэ: ΔU = URт1+URэ=(0,2-0,3)En.
Тогда наибольшее возможное напряжение на транзисторе:
По найденным значениям Р0 и Uкэм подбирают транзистор.
Примечание. Для выбранного транзистора выписать из справочника:
а) допустимый ток коллектора Iкдon;
б) допустимое напряжение на коллекторе Uкэдоп;
в) наибольшую рассеиваемую мощность на транзисторе Рдоп,
г) наименьший коэффициент усиления по току βмин;
д) начальный ток коллектора Iкн:
е) тепловое сопротивление rтт;
ж) наибольшую допустимую температуру коллекторного перехода Тм.
|
|
Рисунок 2 – Выходные статические характеристики транзистора с ОЭ
2. На выходных статических характеристиках (для ОЭ) находят положение точки покоя (рабочей) т. 0 (рисунок 2), для этого определяют напряжение на коллекторе при Uвх = 0 и ток покоя коллектора:
Через т. 0 и 4 (Uкэ = Uкэм; Iк = 0) проводят нагрузочную прямую. Для определения рабочего участка нагрузочной прямой задаются величиной остаточного напряжения Uост (часто принимают Uост = 1 В) и наименьшим током коллектора Iкмин ≥ Iкн (Iкн — начальный ток коллектора, дается в справочнике). По величине Uост определяют Iкм (т. 2); необходимо, чтобы Iкм < Iкдоп. Без существенной ошибки можно принять Iкмин ≈ 0. Таким образом, рабочий участок находится между т. 2 и 3. Наибольшая возможная амплитуда напряжения выходного сигнала Uкм = Uкэ0 - Uост.
Наибольшая амплитуда тока Iкм определяется т.0 и 3(или т. 0 и 2). После этого проверяют, обеспечит ли выбранный режим заданную мощность Рвых.
В соответствии с построенной нагрузочной прямой находят P'~ = Uкм Iкм/2
При правильно выбранном режиме P'~ ≥Рвых/ηт.
Если это условие не выполняется, то увеличивают наклон нагрузочной прямой (значение I берут большим).
Необходимо иметь и виду, что нагрузочная прямая не должна выходить из области, ограничиваемой гиперболой допустимых мощностей: Iк = Ркдоп/ Uкэ (Ркдоп — берется из справочника).
Затем рассчитывают наибольшее и наименьшее значения входного тока:
Iбм =: Iкмин/Р βмин; Iбмин = Iкмин /Р βмин.
и фиксируют их величины на входной статической характеристике схемы ОЭ (рисунок 3).
Рисунок 3 – Входные характеристики транзистора в схеме с ОЭ
|
|
По т. 1 и 2 входной характеристики находят наибольшее и наименьшее напряжения: Uбэмин и Uбэм и наибольшую амплитуду напряжения входного сигнала 2Uбм. Далее определяют мощность входного сигнала Рвх= Uбэм Iбэм/2 и входное сопротивление транзистора переменному току Rвх~ = 2Uбм /2Iбм.
3 Сопротивление цепи эмиттера Rэ определяется по падению напряжения на этом сопротивлении. Приняв URэ = (0,3 - 0,5)ΔU, получаем Rэ = URэ /Iк0.
4 Емкость конденсатора, шунтирующего Rэ определяется из выражения Cэ > l/2πfн Rэ.
5 Сопротивление делителя переменному току
должно удовлетворять условию R1-2 ≥ (8-12) Rвх~, тогда
6. Коэффициент усиления каскада по мощности
7. Для расчета коэффициента трансформации трансформатора по наклону нагрузочной прямой (см. рисунок 2) определяют величину сопротивления коллекторной нагрузки переменному току:
Rк~ =Uкэм/I
Тогда коэффициент трансформации трансформатора будет равен
8. Сопротивления обмоток выходного трансформатора:
rт1 = 0,5Rк~(1-ηт);
9. Индуктивность первичной обмотки
10. При необходимости определяют площадь поверхности охлаждающего радиатора
,
где Ттм - наибольшая допустимая температура коллекторного перехода (дается в справочнике); Тсрм - наибольшая возможная температура окружающей среды; rтт – тепловое сопротивление транзистора (см. справочник).