2015-09-06
2439
На рисунке 3, выполненном на миллиметровой бумаге, построены входная и выходные характеристики транзистора МП-20А. Для схемы с общим эмиттером статической входной характеристикой является график зависимости тока базы Iб от напряжения Uбэ при постоянном значении Uкэ: Iб=f(Uбэ) при Uкэ=const. Выходные характеристики транзистора для схемы с общим эмиттером представляют собой зависимости тока коллектора от напряжения между коллектором и эмиттером при постоянном токе базы. Iк=φ(Uкэ) при Iб=const. Крутизна выходных характеристик на начальном участке от Uкэ=0 до |Uкэ| = |Uбэ| =0,08 В велика. На участке |Uкэ| > |Uбэ| крутизна характеристик уменьшается, и они идут почти параллельно оси абсцисс. Положение каждой из выходных характеристик зависит, главным образом, от величины тока базы.
Значения токов базы рассчитывается, начиная с самой нижней кривой, соответствующей I0б=0. Значение ∆ Iб=0,1 мА приведено в правом верхнем углу графиков выходных статических характеристик приложения В. Следовательно:
| I0б | I0б=0 мА | |
| Iб1= I0б +∆ Iб | 0+0,1 | Iб1=0,1 мА |
| Iб2= Iб1 +∆ Iб | 0,1+0,1 | Iб2=0,2 мА |
| Iб3= Iб2 +∆ Iб | 0,2+0,1 | Iб3=0,3 мА |
| Iб4= Iб3. +∆ Iб | 0,3+0,1 | Iб4=0,4 мА |
| Iб5= Iб4+∆ Iб | 0,4+0,1 | Iб5=0,5 мА |
