Транзистор с индуцированным каналом и изолированным затвором

В транзисторе с индуцированным каналом первоначально канал отсутствует, а создается при положительном напряжении затвор-исток

Рис. 1.27 Конструкция и УГО полевого транзистора с индуцированным каналом n-типа и изолированным затвором

При напряжениях на затворе, равных или меньше нуля, канал отсутствует, и ток стока будет равен нулю. При положительных напряжениях на затворе электроны, как не основные носители заряда подложки p-типа, будут притягиваться к затвору, а дырки будут уходить вглубь подложки. В результате в тонком слое под затвором концентрация электронов превысит концентрацию дырок, т. е. в этом слое полупроводник поменяет тип своей проводимости. Образуется (индуцируется) канал, и в цепи стока потечёт ток.

Вывод: МОП – транзисторы с индуцированным каналом могут работать только в режиме обогащения (положительном напряжении затвор-исток).

Рис. 1.28 Переходная характеристика полевого транзистора с индуцированным каналом n-типа и изолированным затвором

Все МОП – транзисторы обладают бόльшим входным сопротивлением, чем транзисторы с управляемым переходом. R_ВХ = (10¹³. 10¹⁵) Ом.