Общие экологические проблемы производства полупроводниковых приборов и микроэлектроники

Экологическое воздействие производства изделий микроэлектроники, радиоэлектроники и т.п. опред-ся природой хим в-в; технологическими операциями, используемыми для созд-я приборов и устройств; воздействием изделий на окр среду при их эксплуатации и при взаимод-ии с внешней средой после окончания срока годности. Сюда же следует отнести бракованные детали, не подлежащие ремонту, которые вывозятся на пром свалки. В производстве микроэлектронных схем и ПП приборов исп-ся широкий комплекс материалов. К ним относятся: металлы и сплавы; различные р-ры, в состав кот-х входят органич-е и неорг-е в-ва; полимерные материалы, керамика, фарфор, стекло и ПП материалы. ПП материалы могут исп-ся в виде поликристаллов, амфотерных спеченных порошков, монокристаллов, эпитаксиальных пленок (структура решетки полученного слоя – точная копия стр-ры кристалла подложки). ПП материалы делятся на: 1) элементарные – кремний, германий; некот-е модификации бора, углерода, фосфора, мышьяка, сурьмы, висмута, серы, селена, теллура, йода; 2) сложные (хим соед-я) – оксиды (Cu2O, Mn3O4, Al2O3, ZnO, CdO), сульфиды (PbS, CdS, ZnS, Bi2S3), селениды и теллуриды (CdSe, PbSe, HgSe, CdTe, PbTe, Bi2Te3), арсениды (GaAs, InAs), фосфиды (GaP, InP), стеклообразные сплавы (As2S3, As2Se3), сложные тв. р-ры (CdTe-HgTe, PbTe-SnTe) и др. В связи с тем, что многие из этих в-в яв-ся вредными, это следует учитывать как при синтезе ПП материалов, так и при выращивании монокристаллов и эпитаксиальных пленок, при травлении пов-сти, при проведении различных операций, при изготовлении ПП устройств. Многие в-ва обладают токсичными св-вами (соед-я германия; мышьяк, кадмий, свинец и их соед-я; арсениды, теллуриды, селениды и др.). В операциях травления часто исп-ся вредные травители (цианистые эл-литы; р-ры на основе плавиковой к-ты, фторидов, бифторидов и т.д.).