Транзистор имеет три электрода, поэтому при включении его в схему с двумя входными и двумя выходными клеммами один из электродов будет общим и даст название схеме включения

Изображения транзисторов в виде УГО и структурных схемах в различных схемах включения



а). Схема с общей базой	б). Схема с общим эмиттером	в).Схема с общим коллектором
Рис 6. Схема включения БТ в статическом режиме: а)ОБ; б)ОЭ; в)ОК

Сравнительные свойства разных схем включения характеризуются параметрами:

коэффициентами передачи тока, напряжения и мощности, а также входным и выходным

сопротивлением.

Тип схемы	Усиление (коэф. передачи), порядка	Сопротивление, Ом	Изменение фазы вх. Сигналов
По напряж.	По току	По мощи.	Входное	Выходное
ОБ	>1000	α< 1	До 1000	Единицы	Сотни тысяч	Сохраняет
ОЭ	>100	B=10÷100	До 10000	Сотни	Дес. Тысяч	Инвертирует
ОК	<1	>10		Дес. тысяч	Сотни	Сохраняет
Рис 7.Таблица сравнения свойств схем включения БТ.

Первичные параметры транзисторов – величины, характеризующие электрические свойства транзисторов независимо от схемы включения характеризуется первичными параметрами. Это сопротивление эмиттера, коллектора и базы. К ним относиться коэффициент усиления то сопротивление эмиттера, коллектора и базы. К ним относиться коэффициент усиления α.

Графически свойства БТ характеризуются семейством кривых –ВАХ (входных, выходных и проходных). Входные и выходные приведены в справочниках, проходные строятся по ним.


∆I_Б и ∆I_К – изменения токов базы и коллектора . ∆U_БЭи ∆U_КЭ – изменения напряжения между базой – эмиттером и коллектором - эмиттером	Используя графические построения и проводя их масштабные измерения по известнам формулам можно определить др. параметры
	, из хар-к б и а
Рис 8. Статические входные и выходные характеристики БТ, включенного по схеме с общим эмиттером можно использовать для определения параметров транзистора для данной схемы