2015-10-14
573
| Рис 23 Смещение рабочей точки при нагревании транзистора
Диапазон рабочих температур транзистора определяется температурными свойствами p-n при его нагревании от 250до 650 сопротивление базы и закрытого коллекторного перехода уменьшается на 15-20%. Обратный ток коллектора  увеличивается вдвое при нагревании на каждые 100С.
На рис. Видно, что ток коллектора с ростом температуры увеличивается, что равносильно открыванию транзистора.
Вывод: схемы включения транзисторов с ОЭ требует температурной стабилизации.
|
Частотное свойство транзисторов- определяется двумя факторами
