Условные графические обозначения микросхем памяти

На рис. 12.6 представлены примеры обозначений микросхем статического ОЗУ с одноразрядной организацией (Рис. 12.6, а), со словарной организацией и совмещёнными входами-выходами (рис. 12.6,б), микросхемы динамического ОЗУ (Рис. 12.6. в), микросхемы МПЗУ (Рис. 12.6, г), ППЗУ (Рис. 12.6 д), РПЗУ (Рис. 12.6, е).

Условное графическое обозначение содержит три поля. В среднем поле помещено обозначение вида микросхемы памяти и данные о её информационной емкости в битах. На левом поле помещены символы, указывающие на назначение выводов и подводимых к ним сигналов. На правом поле помещены обозначения выводов и соответствующих им подводимых или отводимых сигналов, а также обозначение типа выхода (выходов):

выход с тремя состояниями

выход с открытым коллектором (стоком)

выход с открытым эмиттером (истоком)

Рис. 12.6. Условные графические изображения микросхем памяти:

а – статическое ОЗУ с одноразрядной организацией; б – статическое ОЗУ со словарной организацией и совмещёнными входами-выходами; в – динамическое ОЗУ; г – масочное ПЗУ д – программируемое ПЗУ е – репрограммируемое ПЗУ.