Параметры цифровых интегральных микросхем

Термины, определения и буквенные обозначения электрических параметров ИС, применяемые в науке, технике и производстве, установлены согласно ГОСТам:
ГОСТ 19480-74 (СТ СЭВ 1817-79, 4755-84, 4756-84) «Микросхемы интегральные. Термины, определения и буквенные обозначения электрических параметров».
ГОСТ 17021-88 «Микросхемы интегральные. Термины и определения».

В табл. 1.4 приведен перечень основных электрических параметров, их буквенные обозначения и определения, установленные этими ГОСТами. Вместе с тем в перечень не включены обозначения и определения параметров, широко распространенных в научно-технической литературе по радиотехнике, таких, как частота f, длительность импульса tи, входное напряжение Uвх и другие. Читателям, которые желают ознакомиться с полным перечнем электрических параметров, их буквенными обозначениями и определениями, рекомендуем обратиться к упомянутым ГОСТам.

Таблица 1.4. Параметры, характерные для цифровых интегальных микросхем
Термин	обозначение	Определение
международное	отечественное
Напряжение питания	Ucc	Uип	Значение напряжения источника питания, обеспечивающего работу интегральной микросхемы взаданном режиме
Входное напряжение низкого уровня	UIL		Значение входного напряжения низкого уровня на входе интегральной микросхемы
Входное напряжение высокого уровня	UIH		Значение входного напряжения высокого уровня на входе интегральной микросхемы
Выходное напряжение низкого уровня	UOL		Значение выходного напряжения низкого уровня на выходе интегральной микросхемы
Выходное напряжение высокого уровня	UOH		Значение выходного напряжения высокого уровня на выходе интегральной микросхемы
Входной ток низкого уровня	IIL		Значение входного тока при напряжении низкого уровня на входе интегральной микросхемы
Входной ток высокого уровня	IIH		Значение входного тока при напряжении высокого уровня на входе интегральной микросхемы
Выходной ток низкого уровня	IOL		Значение выходного тока при напряжении низкого уровня на выходе интегральной микросхемы
Выходной ток высокого уровня	IOH		Значение выходного тока при напряжении высокого уровня на выходе интегральной микросхемы
Ток потребления при низком уровне выходного напряжения	ICCL		Значение тока, потребляемого интегральной микросхемой от источника питания при низком уровне выходного напряжения
Ток потребления при высоком уровне выходного напряжения	ICCH		Значение тока, потребляемого интегральной микросхемой от источника питания при высоком уровне выходного напряжения
Средняя потребляемая мощность	Pсс	Pпот ср	Значение мощности, равное полусумме мощностей, потребляемых интегральной микросхемой от источников питания в двух различных устойчивых состояниях
Время задержки распространения при включении	tPHL		Интервал времени между входным и выходным импульсами при переходе напряжения на выходе интегральной микросхемы от напряжения высокого уровня к напряжению низкого уровня, измеренный на уровне 0,5 или на заданном значении напряжения
Время задержки распространения при выключении	tPLH		Интервал времени между входным и выходным импульсами при переходе напряжения на выходе интегральной микросхемы от напряжения низкого уровня к напряжению высокого уровня, измеренный на уровне 0,5 или на заданном значении напряжения
Время задержки включения	tDHL		Интервал времени между входным и выходным импульсами при переходе напряжения на выходе интегральной микросхемы от напряжения высокого уровня к напряжению низкого уровня, измеренный на уровне 0,1 или на заданных значениях напряжения
Время задержки выключения	tDLH		Интервал времени между входным и выходным импульсами при переходе напряжения на выходе интегральной микросхемы от напряжения низкого уровня к напряжению высокого уровня, измеренный на уровне 0,9 или на заданных значениях напряжения
Время перехода при включении	tTHL		Интервал времени, в течение которого напряжение на выходе интегральной микросхемы переходит от напряжения высокого уровня к напряжению низкого уровня, измеренный на уровнях 0,1 и 0,9 или на заданных значениях напряжения
Время перехода при выключении	tTLH		Интервал времени, в течение которого напряжение на выходе интегральной микросхемы переходит от напряжения низкого уровня к напряжению высокого уровня, измеренный на уровнях 0,1 и 0,9 или на заданных значениях напряжения
Коэффициент разветвления по выходу	N	Kраз	Число единичных нагрузок, которое можно подключить к выходу интегральной микросхемы

Цифровая или микропроцессорная микросхема, ее элемент или компонент; цифровая микросборка, ее элемент или компонент обозначаются на принципиальных схемах условно-графическим обозначением в соответствии с ГОСТ2.743-91. Условно-графическое обозначение (УГО) микросхемы имеет форму прямоугольника, к которому подводят линии выводов. Условное графическое обозначение микросхемы может содержать три поля: основное и два дополнительных, которые располагают слева и справа от основного (рисунок 1). В первой строке основного поля условно-графического обозначения микросхемы помещают обозначение функции, выполняемой данным логическим элементом. В последующих строках основного поля располагают информацию по ГОСТ 2.708.

Рисунок 1. Условно-графическое изображение цифровых микросхем.

В дополнительных полях помещают информацию о назначениях выводов (метки выводов, указатели). Дополнительные поля на условно-графическом изображении цифровых микросхем могут отсутствовать. Входы на условно-графическом изображении цифровых микросхем располагают слева, а выходы — справа. Номера выводов микросхем помещают над линией вывода ближе к изображению микросхемы.