Расчет режима работы предварительного усилителя

Выбор и обоснование структурной схемы одноканального передатчика.

Расчетная мощность выходного N-го каскада – усилителя мощности:

Выходной каскад собираю по резонансной схеме на 4 – х лампах, так как .

Номинальная мощность одной лампы:

По выбираю тип лампы ГУ – 70Б с параметрами:

; ; ;

Проверка правильности выбора лампы:

Мощность возбуждения выходного N-го каскада:

- коэффициент усиления по мощности.

Расчетная мощность предоконечного N-1 каскада:

К.П.Д. колебательной системы предоконечного каскада принимаю .

По для предоконечного каскада выбираю транзистор КТ – 913В

n – p – n типа.

Параметры транзистора:

; ; ;

Проверка правильности выбора транзистора:

Мощность возбуждения предоконечного N-1 каскада:

 

Расчетная мощность предварительного N-2 каскада:

По выбираю транзистор КТ – 606 n – p – n типа.

Параметры транзистора:

; ; ;

Проверка правильности выбора транзистора:

Мощность возбуждения предоконечного N-2 каскада:

Такую мощность развивает возбудитель типа «Норд».

 

Данные возбудителя типа «Норд»:

1. Диапазон рабочих частот кГц (410 - 25600)
2. Шаг сетки частот Гц (100)
3. Выходное напряжение на R_нагр = 50 Ом (1,5 – 0,15)В
4. Классы излучений (A1A, H2A, H3E, R3E, J3E, F1B, G1B, J7B)
5. Отклонение частоты при F1B (±30 Гц)
6. Опорный генератор («Гиацинт-М»)

 

Расчет режима работы предварительного усилителя

Исходные данные:

Р_~к=Р_расчN-1 =8,91 вт. F_раб.= (2,8÷6,0)МГц

Параметры транзистора КТ – 913В:

; ; ; ; ; ; ; ; ; ;

Принимаю .

Импульс коллекторного тока .

Угол пробега носителей тока:

Угол отсечки тока эмиттера:

Коэффициент разложения импульса эмиттерного тока:

; ; ;

Критический коэффициент использования коллекторного напряжения:

Амплитуда колебательного напряжения на контуре:

Амплитуда первой гармоники коллекторного тока:

Амплитуда импульса коллекторного тока:

Постоянная составляющая коллекторного тока:

Мощность, потребляемая от источника коллекторного питания:

Мощность, рассеиваемая на коллекторе транзистора:

, что значительно меньше .

 

К.П.Д. по цепи коллектора:

Сопротивление нагрузки в цепи коллектора для оптимального режима:

Коэффициент усиления по току транзистора с учетом частотных влияний:

Амплитуда первой гармоники тока эмиттера:

Амплитуда импульса эмиттерного тока:

Амплитуда напряжения на базе без учета частотных влияний:

Напряжение смещения базы:

Входное активное сопротивление p-n-p перехода на частоте :

, где

Амплитуда первой гармоники тока базы:

Мощность, расходуемая в цепи базы на возбуждение:

Коэффициент усиления по мощности: