Визначення площ світловипромінюючих поверхонь джерел світла

Для виконання цього пункту роботи джерела світла також слід розміщувати під тим же мікроскопом типу МБС-9. Для забезпечення мінімальної похибки вимірювання також слід проводити при максимальному збільшенні мікроскопа (перемикач діапазонів збільшення мікроскопа встановити на цифру “7”; нагадаємо, що ціна малої поділки мірної шкали в окулярі мікроскопа складає у цьому випадку 14 мкм).

Для зручності проведення вимірювання світловипромінюючої площі СВД він закріпле­ний у спеціальному кронштейні і через нього під’єднаний до блоку живлення. Це дозво­ляє, ввімкнувши в мережну розетку блок живлення, “засвітити” СВД на час вимірювання для того, щоб він сам себе підсвічував і було зручніше спостерігати в мікроскопі і його світловипромінюючу поверхню, і мірну шкалу.

Оскільки світловипромінююча поверхня СВД має форму квадрата, досить виміряти довжину а однієї з його сторін.

Для визначення розміру світловипромінюючої площі напівпровідникового лазера, його також розміщують під мікроскопом, підсвічуючи вихідний торець його напівпровіднико­вого кристалу штатним освітлювачем мікроскопа. Оскільки випромінювання такого лазера лежить в інфрачервоному діапазоні довжин хвиль і воно невидиме для неозброєного ока, то виміряти безпосередньо розміри світловипромінюючої поверхні лазера (див.мал.2) ми в даній роботі не в змозі. Отримавши в полі зору мікроскопа чітке зображення вихідного то­рця напівпровідникового кристалу, ми, за допомогою мірної шкали, розташованої в одно­му з окулярів мікроскопа, можемо виміряти безпосередньо лише зовнішні розміри всього торця кристалу (див. мал.2). Розміри ж, власне, світловипромінюючої поверхні b ´ c (див. мал.2) визначимо розрахунково, взявши в якості їх по 0,2 від розмірів всього, повного тор­ця кристалу (див.мал.2).