Послідовність виконання роботи. 1. Скласти електричне коло за схемою (рис

1. Скласти електричне коло за схемою (рис. 9).

 

Схема вимірювальної установки

		V – вольтметр; Ω – омметр (мультиметр); tº - вимірювач температури (мультиметр) ТП – термопара; R1 – резистор ПЭВ-25 – 1,5 кОм (нагрівник); R2 – напівпровідник.

 

Рис. 9.

 

2. Виміряти омметром або мультиметром опір напівпровідника при кімнатній температурі.

3. Увімкнути нагрівач. Через кожні 5 - 10° вимірювати термометром або мультиметром температуру напівпровідника і омметром або мультиметром його опір.

4. Результати вимірювань і обчислень занести до Таблиці 1.

 

t,˚C
R, Ом
, K-1
lnR

 

5. Побудувати графік залежності R = f₁(t,°С) і lnR = f₂ ( ).

6. Визначити тангенс кута нахилу залежності lnR= f₂( ) і обчислити за формулою (7) енергію активації електропровідності.

7. Обчислити за формулою (8) температурний коефіцієнт електричного опор напівпровідника при кімнатній температурі.

8. У висновках по роботі зазначити, яким чином опір напівпровідника залежить від температури.

 

Прилади та обладнання.

1. Досліджуваний напівпровідниковий зразок.

2. Нагрівач.

3. Термометр (мультиметр).

4. Автотрансформатор.

5. Омметр (мультиметр).

 

Література

1. Савельев И.В., Курс общсй физики, т.1, М., "Наука", 1987, § 57-59.

2. Кучерук І.М., Горбачук І.Т. Загальна фізика. Електрика і магнетизм. К., "Вища школа", 1990, § 3.5-3.6.

 

 

Лабораторна робота № 15

 

Визначення концентрації вільних носіїв заряду в напівпровіднику

 

Мета роботи.

Визначити питому електропровідність та концентрацію вільних носіїв заряду в напівпровідниковому монокристалі з електронною провідністю.