Фотолитография

Офсетная печать.

Сеткография(трафаретная печать,шелкография).

Сеткография (шелкография) —. наиболее рентабельный метод для массового и крупносерийного производства. Он обе­спечивает получение элементов с точностью воспроизведения размеров до ОД мм и минимальным расстоянием между ними в 0,5 мм. Сущность метода заключается в нанесении на поверхность пленки рисунка будущих элементов кислотостойкой краской и п следующем травлении пленки. После травления краска удаляется и на подложке остаются элементы с заданной конфигурацией. Для сеткографии промышленность выпускает ряд полуавтоматических и автоматических установок с производительностью до 1000 отти­сков в час. Метод широко применяют при изготовлении печатных плат и толстоплёночных микросхем.

Офсетная печать позволяет получать элементы с минималь­ными размерами до 0,5 мм и точностью до 0,2 мм. Сущность метода состоит в том, что клише с изображением слоя пленоч­ных элементов заполняется краской. Затем краска переносится офсетным валиком на поверхность пленки. После сушки пленка протравливается и краска удаляется. Производительность процес­са - до 300 оттисков в час. Область применения - производство печатных плат. Недостаток метода - сложность изготовления клише и необходимость изменения его рисунка для каждой но­вой партии изделий, т.е. метод применяют преимущественно в массовом производстве.

Фотолитография представляет собой совокупность фото — и физико-химических процессов, применяющихся для получения необходимых размеров и конфигурации тонкопленочных эле­ментов с помощью фоторезиста. (Фоторезисты — материалы, чувствительные к излучению различной длины волны. Наиболее широко используются в микроэлектронике при создании эле­ментов по пленарной технологии для формирования заданного рельефного рисунка на поверхности плёнки). Сущность процесса фотолитографии заключается в следующем.

На подложку наносят фоторезист. В зависимости от механиз­ма протекающих реакций фоторезисты делят на позитивные и негативные. При облучении (экспонировании) негативного фоторезиста через фотошаблон (копия тонкопленочных элемен­тов, выполненная на стекле непрозрачным материалом), в нем протекают реакции, приводящие к потере фоторезистом раство­римости. После обработки в соответствующих растворителях на подложке остается рельеф, негативный по отношению к фотоша­блону. (В позитивных резистах протекают обратные процессы и получается рельеф, соответствующий изображению фотошаблона). Полученный рисунок в результате дополнительной обработки (за-дубливания) приобретает необходимую механическую прочность и химическую стойкость.

.

52. Интегральная технология и её принципы.

Под интегральной технологией подразумевается технология, характеризующаяся слиянием технологических стадий изготов­ления отдельных элементов и схемы в целом.

Важнейшим из этих принципов интегральной технологии явля­ется принцип технологической совместимости элементов ИМС с наиболее сложным элементом, которым является транзистор (в полупроводниковой ИМС).

Другим принципом является принцип групповой обработки. Групповая обработка должна охватывать как можно большее число операций. Возможность групповой обработки достигается исполь­зованием во многих физико-химических процессах производства ИМС газообразных и жидких веществ в качестве рабочей среды.

Следующим важным принципом интегральной технологии является принцип универсальности процессов обработки.

Еще следует выделить принцип унификации пластин-
заготовок, содержащих максимальное количество признаков
микросхемы.