На микросхему

17 18 19 20 21 22 23

Таблица 4.16

Таблица 4.15

Таблица 4.14

Параметр и вид микросхемы

ТТЛШ

ТТЛ

К555

133 1

К531

LKI31

К155

К 158

U_И.П, В

U⁰_вых, В

0,5

0,4

0,3

0,4

0,35

0,25

U'вых. В

2,7

2,4

2,1

2,3

2,4

2,3

U_п'

0,5

0,4

0,5

0,4

0,25

t_{зд, р, ср}, нС

4,75

10 МГц

Р_{пот. ср.} мВт

7,5

1,2 — 1,71) Вт

Краз

—

И — НЕ

ИЛИ — НЕ

НЕ

И — ИЛИ — НЕ

Расширитель

Дешифратор

Мультиплексор

Сумматор

АЛУ

Компаратор

Устройство контроля

четности

RS-триггер

D-триггер

JK-триггер

Регистр

Счетчик

Формирователь импуль-

сов

*) На микросхему

Микросхемы РТЛ (табл. 4.16) характеризуются низким быстродействием, малой потребляемой мощностью и низкой помехоустойчивостью. По уровням сигналов и напряжению питания микросхемы РТЛ несовместимы с микросхемами других типов. Предназначены для применения в цифровых устройствах низкого быстродействия (сотни килогерц) с жестко ограниченным энергопотреблением.

Микросхемы НСТЛ на МДП-транзисторах с р-каналом характеризуются низким быстродействием, большим энергопотреблением и повышенной помехоустойчивостью (табл. 4.17). Существенные особенности микросхем НСТЛ большинства серий: необходимость в относительно высоковольтных (до 27 В) источниках питания, высокие уровни сигналов, несовместимость с микросхемами всех рассмотренных выше типов.

Микросхемы на взаимно-дополняющих по проводимости канала МДП-транзисторах (КМДП) существенно отличаются по свойствам от микросхем на р-МДП-транзисторах. Они имеют положительное напряжение питания, потребляют на несколько порядков меньшую мощность, характеризуются при этом значительно большим быстродействием и более высокой помехоустойчивостью.

Функциональный состав серий 164, К564, содержащих микросхемы различных видов и разного уровня интеграции, позволяет применять эти серии для построения любых цифровых узлов с тактовой частотой до 1 МГц для серии 164 и до 5 МГц для серии К564 [17].

Параметр и вид микросхем											К511
U_Н.П, В	3; 5	3; 5	3; 5		±4	±4	3; 6	6,3		3; 5
					— 0,25	— 0,25		1,2
U°_вьпс, В	0,4	0,35	0,55	0,5	— 1,35	— 1,4	0,3	0,15	—	0,5	1,5
U¹ _ВЫХ, В	2,5	2,5	2,50	2,4	— 0,33	— 0,33	2,6	3,5	2,5	2,5
и_а, в	0,3	0,3	0,4	0,5	0,3	0,3	0,5	—	0,5	0,4
t_{зд, р, ср}, нс				16 МГц					2 МГц
P_{пот, ср}. МВт	—	—
Краз								—	—
И	+			+	+						+
И — ИЛИ				+	+	+
И-НЕ	+	+	+				+	+	+	+	+
И — ИЛИ — НЕ				+			+		+
НЕ					+	+		+	+		+
Расширитель	+	+	+	+	+		+
RS-триггер				+			+			+
JK-триггер							+	+			+
Сумматор										+
Дешифратор											+
Формирователь			+	+			+
Усилитель					+	+					+
Регистр				+						+
Счетчик										+	+

Параметр и вид микросхем				21!
Uип, В
U⁰_вых, В, не более	0,2	0,2	0,3	0,3	0,2
U¹_BblX, В, не менее Uп, В	0,15	0,78 0,15	0,3	0,9 — 1,35 0,1	0,04
K раз			2/10
t_{зд.р.ср.}, нс					300 кГц
Р_БОТ._ср, МВТ	0,57		3,75		35¹⁾
И			+
ИЛИ	+
И — ИЛИ		+
ИЛИ — НЕ	+	+	+	+
ИЛИ-НЕТ	+
НЕ	+		+	+
Расширитель	+	+
RS-триггер	+	+		+
Полусумматор	+
Регистр	+			+
Счетчик				+	+

Однако в отличие от микросхем на р-МДП-транзисторах микросхемы этого типа менее технологичны, требуют для своего изготовления больше операций и, следовательно, более дорогие. Тем не менее тенденция развития этих серий микросхем такова, что в ближайшее время они будут занимать преобладающее положение среди НСТЛ микросхем. Свидетельством постоянного совершенствования их свойств является К564 серия, микросхемы которой работают при изменении напряжения питания от 3 до 15 В, характеризуются повышенным быстродействием при значительном снижении потребляемой мощности. При напряжении питания 5 В микросхемы становятся полностью совместимыми с ТТЛ и ТТЛШ.