На микросхему

Таблица 4.16

Таблица 4.15

Таблица 4.14

Параметр и вид микросхемы

ТТЛШ

ТТЛ

К555

133 1

К531

LKI31

К155

К 158

UИ.П, В

U0вых, В

0,5

0,5

0,4

0,4

0,4

0,4

0,3

0,4

0,35

0,25

U'вых. В

2,7

2,7

2,4

2,4

2,4

2,1

2,3

2,4

2,3

2,3

Uп'

0,5

0,5

0,4

0,4

0,4

0,4

0,5

0,4

0,4

0,25

tзд, р, ср, нС

4,75

10 МГц

Рпот. ср. мВт

7,5

1,2 — 1,71) Вт

Краз

—

И

+

+

+

И — НЕ

+

+

+

+

+

+

+

+

ИЛИ — НЕ

+

+

+

+

НЕ

+

+

+

+

+

+

+

И — ИЛИ — НЕ

+

+

+

+

+

+

+

+

Расширитель

+

+

+

+

+

Дешифратор

+

+

+

+

Мультиплексор

+

+

+

Сумматор

+

+

+

АЛУ

+

+

Компаратор

+

Устройство контроля

+

+

четности

RS-триггер

+

+

D-триггер

+

+

+

+

+

JK-триггер

+

+

+

+

+

+

Регистр

+

+

+

Счетчик

+

+

+

Формирователь импуль-

+

+

сов

*) На микросхему

Микросхемы РТЛ (табл. 4.16) характеризуются низким быстро­действием, малой потребляемой мощностью и низкой помехоустой­чивостью. По уровням сигналов и напряжению питания микросхемы РТЛ несовместимы с микросхемами других типов. Предназначены для применения в цифровых устройствах низкого быстродействия (сотни килогерц) с жестко ограниченным энергопотреблением.

Микросхемы НСТЛ на МДП-транзисторах с р-каналом харак­теризуются низким быстродействием, большим энергопотреблением и повышенной помехоустойчивостью (табл. 4.17). Существенные осо­бенности микросхем НСТЛ большинства серий: необходимость в от­носительно высоковольтных (до 27 В) источниках питания, высокие уровни сигналов, несовместимость с микросхемами всех рассмотрен­ных выше типов.

Микросхемы на взаимно-дополняющих по проводимости канала МДП-транзисторах (КМДП) существенно отличаются по свойствам от микросхем на р-МДП-транзисторах. Они имеют положительное напряжение питания, потребляют на несколько порядков меньшую мощность, характеризуются при этом значительно большим быстро­действием и более высокой помехоустойчивостью.

Функциональный состав серий 164, К564, содержащих микро­схемы различных видов и разного уровня интеграции, позволяет применять эти серии для построения любых цифровых узлов с так­товой частотой до 1 МГц для серии 164 и до 5 МГц для серии К564 [17].

Параметр и вид микро­схем											К511
UН.П, В	3; 5	3; 5	3; 5		±4	±4	3; 6	6,3		3; 5
					— 0,25	— 0,25		1,2
U°вьпс, В	0,4	0,35	0,55	0,5	— 1,35	— 1,4	0,3	0,15	—	0,5	1,5
U1 ВЫХ, В	2,5	2,5	2,50	2,4	— 0,33	— 0,33	2,6	3,5	2,5	2,5
иа, в	0,3	0,3	0,4	0,5	0,3	0,3	0,5	—	0,5	0,4
tзд, р, ср, нс				16 МГц					2 МГц
Pпот, ср. МВт	—	—
Краз								—	—
И	+			+	+						+
И — ИЛИ				+	+	+
И-НЕ	+	+	+				+	+	+	+	+
И — ИЛИ — НЕ				+			+		+
НЕ					+	+		+	+		+
Расширитель	+	+	+	+	+		+
RS-триггер				+			+			+
JK-триггер							+	+			+
Сумматор										+
Дешифратор											+
Формирователь			+	+			+
Усилитель					+	+					+
Регистр				+						+
Счетчик										+	+

Параметр и вид микросхем				21!
Uип, В
U0вых, В, не более	0,2	0,2	0,3	0,3	0,2
U1BblX, В, не менее Uп, В	0,15	0,78 0,15	0,3	0,9 — 1,35 0,1	0,04
K раз			2/10
tзд.р.ср., нс					300 кГц
РБОТ.ср, МВТ	0,57		3,75		351)
И			+
ИЛИ	+
И — ИЛИ		+
ИЛИ — НЕ	+	+	+	+
ИЛИ-НЕТ	+
НЕ	+		+	+
Расширитель	+	+
RS-триггер	+	+		+
Полусумматор	+
Регистр	+			+
Счетчик				+	+

Однако в отличие от микросхем на р-МДП-транзисторах ми­кросхемы этого типа менее технологичны, требуют для своего изго­товления больше операций и, следовательно, более дорогие. Тем не менее тенденция развития этих серий микросхем такова, что в ближайшее время они будут занимать преобладающее положение среди НСТЛ микросхем. Свидетельством постоянного совершенство­вания их свойств является К564 серия, микросхемы которой рабо­тают при изменении напряжения питания от 3 до 15 В, характери­зуются повышенным быстродействием при значительном снижении потребляемой мощности. При напряжении питания 5 В микросхемы становятся полностью совместимыми с ТТЛ и ТТЛШ.