1)U=IR — резистор, U=L (di/dt) — індуктивність, i=C (dU/dt) — ємність.
2) Для резисторів R=I U, для ємностей , для індуктивностей
Основні параметри, які характеризують резонанс в послідовному контурі.
Умова резонансу φвх = 0, тобто ω L – 1/ω C = 0, звідси резонансна частота ; . Характеристичним опором контуру називають модуль опору кожного реактивного елемента на резонансній частоті: . Відношення напруги на котушці або конденсаторі до напруги, що прикладена до кола на резонансній частоті, називається добротністю контуру Q = U 20/ U 1 = ρ I p/ RI p = ρ/ R. Таким чином, напруга на виході контуру при резонансі в Q раз більша напруги на вході: U 20 = QU 1. Добротність Q є величина обернена згасанню контуру: d = 1/ Q = R /ρ. Добротність навантаженого контуру Q ек = ρ/[ R+L / CR н] = Q /[1+ Q ρ/ R н]. Абсолютною розстройкою є різниця між частотою генератора і резонансною частотою контуру; D f = f – f 0 або Dw = w – w0. Відносною розстройкою називають відношення ε = 2Df / f0. Узагальнена розстройка ζ = X / R = (X L – X C)/ R ≈ 2D fQ/f 0.
|
|
Вплив навантаження на вибіркові властивості коливального контуру.
Послідовний контур. Якщо до вихідних затискачів контуру підключити резистор, то в ньому буде розсіюватись енергія, внаслідок чого добротність кола зменшиться у порівнянні з добротністю не навантаженого контуру. Добротність навантаженого контуру , r – опір контуру, Ri – опір генератора, RH – опір навантаження.
Паралельний контур. На добротність контуру впливає внутрішній опір генератора R r, який увімкнений паралельно контуру. Перерахуємо R r у послідовне сполучення з конденсатором, одержимо . Еквівалентна добротність контуру , Q ek< Q, R – власний опір контуру, ρ – характеристичний опір контуру, - опір контуру в резонансі. Якщо контур навантажений на резистор R н, то в усі розрахункові вирази замість Rr потрібно підставляти: R r R н/(R r + R н).
Таким чином внутрішній опір генератора та навантаження впливають на смугу пропускання контурів.