I. Анализ конструктивных характеристик полупроводниковых диодов

СОДЕРЖАНИЕ

 

Введение

I. Анализ конструктивных особенностей полупроводниковых диодов

1.1 Полупроводниковые диоды

1.1.1 Выпрямительные диоды

1.1.2 Диодные матрицы и сборки. Стабилитроны и стабистроны

1.1.3 Ограничители напряжения

1.1.4 Варикапы. Излучающие диоды

1.2 СВЧ-диоды

1.2.1. Детекторные диоды

1.2.2. Смесительные СВЧ-диоды

1.2.3. Переключательные СВЧ-диоды

1.2.4. Туннельные диоды

1.2.5. Обращенные диоды

1.2.6. Лавинно-пролетные диоды

1.3 Диод Ганна

II. Расчет параметров и характеристик диода Ганна

Вывод

Список используемой литературы

Введение

 

Научно-технический прогресс немыслим без электроники. Интенсивное развитие электроники связано с появлением новых разнообразных полупроводниковых приборов и интегральных микросхем, которые находят применение в вычислительной технике, автоматике, радиотехники.

Полупроводниковые приборы в виде точечных диодов, или, как их раньше называли, кристаллических детекторов, применяли еще в первых электронных установках. Выпрямительные свойства контактов между металлами и некоторыми сернистыми соединениями были обнаружены в 1874 г. А.С.Поповым (впервые был использован полупроводниковый диод-детектор в его радиотелеграфном приёмнике) в 1895 г при изобретении радио был применен порошковый когерер, в котором использовались нелинейные свойства зернистых систем. В 1922г О.В.Лосев (открыл способность полупроводникового диода генерировать и усиливать электрические сигналы) использовал отрицательное дифференциальное сопротивление, возникающее при определенных условиях на точечных контактах металла с полупроводником, для генерации и усиления высокочастотных электромагнитных колебаний. Кроме того, им было обнаружено свечение кристаллов карбида кремния при прохождении тока через точечный контакт.

Однако в этот период успешно развивается техника электровакуумных приборов и из-за недостаточного знания строения полупроводников и происходящих в них электрофизических процессов полупроводниковые приборы тогда не получили существенного развития и применения.

В годы Великой Отечественной войны были разработаны точечные высокочастотные и сверхвысокочастотные германиевые и кремниевые диоды. В 1942г в СССР был начат выпуск полупроводниковых термоэлектрических генераторов для непосредственного преобразования тепловой энергии в электрическую. Термогенераторы использовались для питания переносных радиостанций партизанских отрядов. Создание и производство этих и многих других приборов стало возможно благодаря фундаментальным теоретическим и экспериментальным исследованиям свойств полупроводников, проведенным группой ученых под руководством академика А.Ф. Йоффе.

С 1948г с моментов создания американскими учеными Дж. Бардиным, В. Браттейном, и В. Шокли точечного транзистора начался новый этап полупроводниковой электроники. В пятидесятых годах были разработаны различные типы транзисторов, мощных германиевых и кремниевых выпрямительных диодов, тиристоров, туннельных диодов и других полупроводниковых приборов.[1]

Большая работа по изучению процессов выпрямления выполнена немецким ученым В.Шоттки и американским ученым Н.Моттом. Но наиболее крупным достижением в области полупроводниковых приборов явилось изобретение в 1984 г американскими учеными Д.Б.Бардиным, В.Браттейном и У.Шокли полупроводникового усилительного элемента - транзистора. Обладая практически неограниченным сроком службы, транзисторы позволили существенно повысить надежность радиоэлектронных систем, во много раз уменьшить их размеры и сократить потребления ими электрического тока.

В СССР первые образцы точечных транзисторов были изготовлены в 1949 г А.В. Красиловым и С.Г. Мадоян.

Открытие транзистора послужило началом нового этапа в развитии полупроводниковой электроники. В период с 1948 по 1985г было создано более 60 различных типов твердотельных приборов, из которых в настоящее время отечественной и зарубежной промышленностью освоено производство более 30.

Параллельно с разработкой полупроводниковых выпрямителей и усилителей были разработаны приборы, принцип действия которых основан на свойствах полупроводниковых материалов изменять свое сопротивление под действием различных внешних факторов.

Нелинейные полупроводниковые резисторы –терморезисторы, фоторезисторы и варисторы - нашли широкое применение в электронной и радиоэлектронной аппаратуре, автоматике и электротехнике. Первые работы, посвященные вопросам конструирования и применения нелинейных резисторов, были опубликованы в конце 50-х годов. Создание новых типов нелинейных резисторов связано с именами советских ученых Б.Т.Коломийца, И.Т.Шефтеля, В.В Пасынкова.

Большим событием в радиотехнике и технике связи было появление туннельного диода. Его изобретение принадлежит японскому ученому Л.Есаки. В 1957г изучая p-n –переходы, изготовленные в сильнолегированном германии, он обнаружил аномальный ход вольт- амперных характеристик, обусловленный туннельным эффектом.

В последующие годы наблюдается быстрое продвижение полупроводниковых приборов в область сверхвысоких частот. Прогресс в этом направлении был достигнут в результате значительного усовершенствования технологии изготовления СВЧ- транзисторов, туннельных диодов и варикапов. В 1959 г советским ученым А.С. Тагером и его сотрудниками была обнаружена генерация когерентных колебаний СВЧ в p-n –переходе при ударной ионизации. Этот эффект стал основной лавинно-пролетного диода, на котором создан класс СВЧ- устройств: генераторы, усилители и преобразователи частоты.

Несмотря на достигнутые успехи в полупроводниковой электронике, нельзя считать знания в этой области достаточными. Предстоят исследования новых свойств полупроводников и создание принципиально новых приборов.

Полупроводниковая электроника дала возможность развернуть работы по миниатюризации и микроминиатюризации электронного оборудования.[2]

 

I. АНАЛИЗ КОНСТРУКТИВНЫХ ХАРАКТЕРИСТИК ПОЛУПРОВОДНИКОВЫХ ДИОДОВ